氢处理二氧化钛的光催化性能和电化学阻抗谱研究.pdfVIP

氢处理二氧化饮的光催化性能与电化学阻抗谱研究 型垫昊呜’吴台进孙福侠姚永禄李文钊 (中科院大连化学物理研究所．大连，116023 摘要钠米_02在550℃、氢气气氛下热处理120 强的光催化性能·现场电化学阻抗谱(EJs)研究发现，H-玎q具有较低的界面阻抗；刚时，由于TiO：晶格中 氢的存在， H—Tiq光生电子-空穴的转移速率加快，复合速率碱小，因而表现出良好的光催化性能； 关键词：光催化二氧化钛电化学阻抗谱 光催化剃的表面改蛀通常可通过物理(漫渍法等)、化学方法(溶腔．凝胶，电化学沉积法等)向Ti02品 格中引入盘属。小岛”，以加速光生电子-空穴的转移，提高改性后催化剂的光催化活性。运用物理和光电化 学等手段研究半导体催化剂的表面性质和光电化学性质．可咀为评价这些改性光催化剂的活性和研究反威机 理提供依据．电化学阻抗谱衄s)方法是一种以小振幅的正弦波电位(或电流)为扰动信号的电化学测量方法． 是研究材料性质、化学(特别是电化学)过程和界面反应机理的有力工具。车工作运用EIS等手段Ⅳf宄J’钠 1实t步■ I l光位化反应 rain后，得H．Ti02．光催化反应光源 rim)t在550℃、氢气气氛下热处理120 TiOi(悦蚀型一技径为30 为一只主波长为365nm的6W蟹外线杀菌灯．通过鼓^一定流量的空气和磁力搅拌器来维持ri02悬浮溶液 来计算其榷座变化． 10Ells曩量 EI$测量在石英玻璃削成的三池电扳系统中进行，TiOvSn02为工作电扳，铂片为对电极，饱和甘汞电极 (SCE)为参比电极．如需光照时．光从n02一面向电极照射．光源与光催化反应用灯相同．采用微机控制的 EGG-PARC 273A恒电位仪联接PARC5210锁相放大器进行EIS测试．EIS电位扰动信号幅度为5raV．信 号频率范围为104Hz～100KHz． 2螬暴．与讨论 rain～． H-前02对SSal衰现出较高的光催化活性．光催化降解SSel的一级反应动力学常数为0．02935 mh～． Ct-330D。光值化降解SSe]的～谖反应动力学常数为0．Ol“1 通讯联系人l h∞gIm03固h哪，1枷 Email：wuming@ms．dicp．ac．￡rl 本工作得到中田科学院重大项目晖，951．Al·505)和中田田塞博士后基盘壹助 一38— 阻抗谱图表现出一个半圆，但其半径较空白Tioz的咀抗哑弧半径要小得多．空气中热处理120min后的Ti02 EIS Nyquist图中的圈弧半径也有一定程度的减小，原因可能是热处理使得TiO：宙々晶形发生娈化。从三种Ti02 阻抗谱的高频部分‘Fig】b)埘圳看出．H-Ti02的EIS图似乎还存在一段西弧．倒此，H．TiO：的品格中由于 ‘．!，九了氢，除了晶彤发生变化外，j五可能使托生载流于的传输步骤越生了改变．导致光催化的反心的历程有 所一；同。氢裆：光生载流于的传输过程中，充当了表面杏，能有敛地延长其寿命．我仃]还提出，这种作用机理 午日阻抗惜模型，理论计算的结果与实验结果相吻合． 一一 ． ～一一一． ． _ e ． 姜 ． 0 夏一胖 ∥ ． ≯ O _帅姗Ifl0㈣伽啪啪砷 ■