MgO不完整表面吸附CO的电子结构的研究.pdfVIP

D15 _go不完整表面吸附c0的电子结构研究 李奕昊立明章永凡李俊钱’ (福州大学化学系，结构化学国家重点实验室，福州，福建，350002) cO在金属氧化物表面的吸附对于多相催化和其它表面过程具有重要意义．它可作为探 针来研究氧化物的表面性质”’“。不完整氧化物表面往往是吸附的活性构型，但由于计算的 复杂性，理论研究较少见报道。本文采用从头算并结合EHT方法，研究co在Mgo完整、缺 陷及不规则表面的能带结构，分析其组成，成键情况及吸附选择性等。 r， 一计算方法和模型 IR光谱”1已经证实cO主要是垂直地吸附在Mg：上。而吸附在旷一上则不稳定。我们在 94从头算程序对MgO的角、边、完整晶面吸附CO构型 HF水平上用6—3lG基组及Gaussian 进行优化，计算用簇模型并在周围加点电荷来模拟簇所处的环境。同时，在构型优化的基础 了C0的C端和0端吸附在Mg离子上的两种情况。 二结果与讨论 EHT计算得到的各种模型的能带结构如图(a—f)所示，具体数据见表一。 构型优化和EHT计算结果表明：(1)缺陷及不规则表面吸附cO的吸附能均大于完整表 面的吸附能；(2)各构型无论对cO的C端吸附或0端吸附，其轨道成分，成键性质，Fermi 能级以及能隙差别不大：(3)各构型对co的C端吸附的吸附能大于0端吸附的吸附能；同 变长，而cO中的c—O键长则改变不大。 参考文献： 、 丁阳埘ifj。。t止rd曲Gk娩J(Wiley，Chichestef，1990) 2 KM d Neyman，N．Rsch．s可5台j．，1993，297，223 3 EEscalona．PIatero，DScaranO．凡2，口出rD打c2廿s(强e坍S。c．，1985，80，183． V 国家自然科学基金资助项目t批准号29673叭o】 316 4 李奕，吴立明，李俊镬等，《结构化学》．1999，3，218 表一各构型的EHT计算能量 体系总能量E。(e、7)费米能级E“ev) Eg(eV)吸附能(eV) 完整 C端 ·1955．57718I．I3．650453 4．38 2．186 晶面 O端 -1954．989430一l3．597513 4．09 1．598 空缺0 C端 -1682-816691—9 157462 8．122 表面 O端 -1681．715071．9．177704 7216 阶 c端 -1955660306 4．64 3020 表面 -1954．877857 O端 449 2．238 鬻 r X M r Y M b完整晶面O端 c．空缺O表面c端 群；蓊霾 1’———÷——～———_—～ 7》一～一。＼、．—一一一 {t————一-————o———L一+ ．：彳寻。’甲 。d c、j—_女= r X M r Y M r X M r d．空缺O表面O端 一，磊 f阶表面0端 317