用场发射显微镜的研究单壁碳纳米管场发射.pdfVIP

用场发射显微镜研究单壁碳纳米管场发射 韩建平张兆撵侯士敬赵凝钰潮椎敏薛增寰 (j￡衷大学电子学系) 耱祖进顾镇南 (就隶大学化学与分子工程学院) 1引富 管状结擒。摹壁璇雏米管懿典型管径在0．7～t．4nm，多壁碳纳米营鹩管镪薅罄数葺鞋闯簸不 同，从十几到几十纳米不等，它们弱长度通常在微米量缀以上。单壁碳纳米管的臀径_秘卷 曲方向，决定了其电导特性属于金属型或者半导体型。单壁碳纳米管被认为悬一种很有希 擅的缡米电子橱辩。芷日蔬成为人霄j研究的热点。 碳鳓米警懿独特瓣多}形，崴学特性。以及缀好静他学稳定搜和规攘强度，使褥宅逶子 熙佟场发射电子源。对碳纳米管薄膜、孤立的多壁碳纳水管、单壁碳纳米管管束的研究表 明：和传统金属材料钨相比，碳纳米管的场发射具有开启电眶低、工作真空度要求不商及 发射稔定等优点。僵愚在这些实验中，由于酸纳米管稃晶不纯和吸附的影响，有塑实验结 果之耀存在一定差鼹，Dean等人指如，崔室湿下碳绒米警场发射电流主簧来源予样熬衷 题吸附气体分子，只有经过充分除气，才可能对碳纳米管真实场发射特性以及吸附对场发 射的影响有更深入的了解。 我们的实验利掰场发射显檄镜(FE脚在小于4．O×10弧压强的趣离囊空条件下研究了 萃壁碳纳米管徽募豹场发射：获{寻势观察了场发射圈像；用电淡电羼的l-v关系魁线秘豳 定场发射电流条件下电压随加热温度变化的、Ⅵ曲线，研究了不同濒度加热陈气质，单壁 碳纳米管场发射和逸出功的相对变化规律。 2实验装爨 真空系统用机械泵和溺轮分子泵机缀作为预抽泵，主泵是溅射离子系，真空系统的极 方法矮蚀成针失，钟尖与荧光羼距离约为4,0cm，通过W{踺逡漉稳流电源越针尖加热除气； 灯丝温度高于800℃时。用光测离温计标定。 单壁碳纳米管样品用电弧法合成，经过纯亿簸瑾盛，革壁管含纛达80％。将磺管鬣于 无承乙醇中，怒声链理2—3夺爵，痰为撼色溶黢，依靠蓬氏力将其缎装到坛发射最擞穗针 尖上。场发射显徽镜封入囊空系统，系统玻璃部分经300C烘烤lO小时蕨，工作援强小于 4．0x10‘7pa。 高舔电源可醴在0-10kV范围内调节针尖和阳极乏阔静电蕊。墒发射蘅像用辎梳拍摄 轻CCD摄像头摄墩。遴瓣电镰(TEND照拷在JEM-200CX土获樽。 3结果和分析 3．1场发射鼹像麴褒察 实验中获得的单壁碳纳米营场发射图像具脊明照特征，大多为一墼圆形或椭圆形亮斑。 在室温未除气时，图像基底上有许多不断变化的亮点，它们是一些吸附分子的场发射图像。 此时来源于这些吸附分子的场发射电流占主导地位，在电场作用F，这些气体分子不停地 脱附和吸附，场发射电流因而也不稳定。我们通过灯丝对场发射显微镜针尖上的样品加热， 单壁碳纳米管表面吸附分子受热脱附，随着除气温度的上升，原来的一些发射中心消失。 清洁单壁碳纳米管的场发射图像逐渐显露出来。场发射电流变得非常稳定。经过小心除气。 荧光屏上图像只剩F一个亮斑。从图像中可以看到椭圆形的轮廓范围内有一些清晰的具有 明暗反差的细致结构。Dean等人认为它所反映的是封闭的单壁碳纳米管顶端的电子结构。 我们可以设想在一束单壁碳纳米管中，很可能存在某根碳管比较突出的情况。这时候在它 顶部的电场相对较强，场发射电流几乎完全来自于这根单壁碳纳米管。为了准确测量单壁 碳纳米管场发射电流随除气温度上升的变化规律，另选一样品测量了电流电压关系。 3．2加热除气过程中场发射电流的测量 场发射电流密度i遵守Fowler-Nordheim公式 ． r ．；影／1 “ ，ocE2expI一6．8×10’∞7％I ‘L ／￡J 其中j=I／S，E。13V,S是发射区面积，B是场增强因子，中是逸出功。实验中实际测量的是总 条件F其斜率K。c中”。 实验中逐步升高灯丝温度对单壁碳纳米管加热除气，然后在室温时测量了单壁碳纳米 除气温度的上升，各条F-N直线斜率F经