用Weibull分布对超薄栅MOSFET老化特性地研究.pdfVIP

老化特性的研究 穆甫臣谭长华许铭真 北京大学微电子所100871 1 引言 超薄栅氧化层的老化和击穿特性已成为许多科研工者的研究对象，这方面的研究己持 续了20多年，而且随着器件尺寸大幅度减小，sj02的可靠性显得尤为重要。众所周知， 在恒压应力下持续足够长时间si02将被击穿。这种依赖时间的介质击穿(简称TDDB) 早在十几年前就成为了众多研究者的研究对象。许多报道都试图就介质击穿的物理机制给 出明确的结论，但击穿的确切机制仍然是一个颇有争议的课题。争议的焦点是对用来预测 使用电场下的寿命的电场加速模型的选择。目前最为流行的两个模型是“E”模型和“1／E” 模型。“E”模型认为击穿与化学键断裂相关flI．相应地有，平均寿命(又称t。)的自然对 数，Ln(啪与电场成线性关系；“1／E”模型基于通过氧化层梯形势垒的FN电子注入，认 为击穿是由于氧化层中空穴的注入或由碰撞电离产生和俘获而导致的局部电场增强【2J|[31， Ln(k)与电场的倒数成正比。 进行了统计分析。 2 实验及结果讨论 在27和105℃下分别进行了恒压应力实验，由于失效统计需要，每个应力条件下至少做 了10个器件的加速寿命实验。失效判据为栅电压漂移(Av。)10mV。 各个应力条件下的数据都可很好地线性拟合，并且各组数据的斜率，即weibull分布中的 形状园子13都相同。又Weibull分布的形状因子6体现了器件的失效机制，不同夫效机制对 应不同的形状因子眦∽所以，在27℃下，5,0，7．0，和9．0rim器件在选定的恒压应力下 失效机制相同，并且非本征失效(ExtrinsicFailure．简称EF)数量极少。 从5．0rim 征失效的数量比27℃下明显增多，本征失效(IntrinsicFailure，简称Ⅲ)的形状因子在两 个温度下相同。说明非本征失效(EF)与温度有关，温度升高非本征失效比例增大；在105 ℃下，本征失效(IF)的失效机制没有改变，这与JohnS．Suehle等报道的TDDl3实验结 果相同I”。可能在更高温度(比如400℃以下)下本征失效的失效机制也不会改变嘲。 502- LAfs吲 圈1 5．0，7．0，和9．0rimN-MOSFET在 5．0 图2 nmN—MOSFET在27和105C下 27C下的Weibull分布 的Weibull分布 图3表明N-MOSFET栅电压漂移与TDDB实验类似，也可用“E”模型很好地描述。 场加速因子(图3中各曲线之斜率)与温度和厚度的关系如图4所示。场加速因子订t温 度不敏感，随氧化层厚度增加略有增大。这与【5]中报道的TDDB实验结果相同。 综上可知，栅电压漂移与TDDB有许多类似之处，即：都可以用Weibull分布进行统 计分析；失效机制在27--105℃温度范国内相同：都符合“E”模型：场加速因子对温度 不敏感，随氧化层厚度增加略有增大。出现这些类似之处的原因可能在于栅电压漂移与 TDDB的失效机制相同或类似。 图3Ln(¨与氧化层应力电场的关系 图4场加速因子与温度及氧化层厚度的关系 3结论 通过对N-MOSFET在各种条件下的加速寿命实验的研究．发现：5．0，7．0，和9．0nm 器件在27℃下Weibull分布的形状因子相同，在105C下本征失效的形状因子相同：本征 失效的失效机制在高低温下相同：非本征失效的比铡随温度升高而增大；场加速因子T对 -503