铕离子注入氧化硅膜可见光发射地研究.pdfVIP

丝! 蔓盎垒垒璺旦堡蔓鏖茔垄垒垫亟主塞 ，， 铕离子注入氧化硅膜可见光发射的研究 王亮1卫朱美芳1郑怀德3侯廷冰4任泽英3奚中和2 1中国科技大学研究生豌物理系北京100039 2北京大学屯子系 北京100871 3中国科学院半导体研究所 北京100083 4北京交通大学光电子所 北京100044 ～．引言 等)中获得4f一艚电子跃迁光发射，并早已在激光器中获得广泛的应用。它以它高的发光效 率，与温度无关，瑭定的峥位等优点吸引人们将稀土元素引人硅基发光材料中，期待在新型光 电子器件，特别在光电子集成电路中有重要应用。如在掺＆的单晶硅及非晶硅中观察到了1， Eu2+离子分别观察到了高强度的红光、绿光和蓝光的发射．但溶胶凝胶方法不宜于硅集成工 艺。本文主要介绍采用与硅工艺兼容的离子注人掺杂方法获得SiOz：Eu3+硅基复合膜的光致 发光． 二．实验方法 1100℃，1200．c下退火30分、60分、90分．样品发光谱和激发谱的涮量采用氙灯作为光源。 三．实验结果和讨论 的荧光谱，为了比较，纯$iOz膜的发光谱也示于圈中。这里激发波长为{6缸m．苜先看到热氧 且有一定的峰宽．这可解释为：在非晶态SiOz的基质中Eu”的谱线展宽导致相近邻的谱线交 我们特别注意到退火后的样品发光强度有很大增强，这一方面由于高温退火藏少离子注 釜盍鱼全垦旦堡翌壁茔查全垫煎圭叁 丝』 人引进大量缺陷如悬挂键，降低了非辊射复舍几率，也由于退火提商了铕离子的注入效率． ‘．，．-一^=．c}-c- 刊■■-t曲☆n●． 图1 注入剂量为1015cnl。的Si02；Eu”样品退火前后的荧光谱 的增加，而紫外部分的三个峰结构消失而在350nm处形成一个较宽的带．根据Eu”的髓级可 过程如图3所示。这表明了510nm的荧光是来自Eu”的光发射． = 见 一 ^ _ ∞ C ∞ _ C l Wavelength{nm 图2注入荆量为lol5cm。的Si02；Eu3+样品退火前后的激发谱 为了进一步了解注人剂量和后处理工艺对光荧光的影响，我们比较了注入剂量为10“／era2 的荧光谱如图4所示。图4表明注入剂量增加对荧光强度的增加影响不大。实验表明退火温 度及退火时间对发光峰位无影响，但对荧光强度有明显的影响，规律性的结果仍在研究之中。 是由于Eu”的5D2—7B电子跃迁光发射的线结构在非晶态基质环境下展宽的结果。 丝 一——』型坠明型送燮熊生哒盔一 h H J-2 j {{ 旦 j i { !