研究GeSi%2fSi多层异质外延载流浓度分布电化学C-V方法.pdfVIP

20∞年10月·广西·北海 第七届全国圃体薄膜学术会议 研究GeSi／Si多层异质外延载流子浓度分布 的电化学C．V方法 张秀兰朱文珍黄大定 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室 北京912信箱，邮编：100083 摘要通过实验确定了一种与Ge。Si．。合金表面具有良好电化学界面的电解液，利用电化学 C-V方法研究了多层Ge。si。拶i异质外延材料的载流子浓度纵向分布。实验结果表明：采 用这种电解液，利用电化学C—V载流子浓度纵向分布测量仪检测Ge。Si。js{异质材料的载 流子浓度纵向分布，重复性好、可靠性高。 一．引言 Ge。si．。合金是以能带工程为基础发展起来的新型半导体材料。由于Ge；si。材料的载 流子迁移率高，Ge，sih能带的禁带宽度可以通过改变组分而精确调节。这种材料具有许多 独特的物理性质，特别是其优良的高频、高速和低功耗性能，而且在制造技术上与目前比 较成熟的si工艺相兼容，所以越来越受到青睐。用Ge。Si。，Si材料制造的异质结构器件， 如异质结双极性晶体管(HBT)和高电子迁移率晶体管(眦MT)等，已经应用于移动通讯、环 球定位系统等领域。 由两个间接带隙材料si和Gc构成Gc。si。。台金材料后能带可以发生折叠，使得Ge。Si。 合金材料的能带结构转变为直接带隙成为可能。因此，Ge,。Si。合金材料也可以用于制造光 电子器件，特别适用于制造光电子集成器件和电路。Ge。Si。合金材料不仅在微电子领域受 到青睬，同样也在光电子领域受到高度重视。 目前制备Ge，si．。合金材料的常规方法有化学柬外延(CBE)、气源分子束外延 延材料的载流子浓度是制造优质器件的关键之一，而定量检测多层G-exSi。，Si异质结构外 延材料的载流子浓度分布，则可以为改进材料生长工艺．精确控制各层外延材料的载流子 浓度提供保障。对于GaAs基和／rip基材料的载流子浓度分布，有比较成熟的电化学C．V 技术可以利用“一I。用电化学C．V方法检测Si基材料的载流子浓度分布难度很大Ⅲ】，因为 在腐蚀si时．电解液与si表面通常难以形成理想的电化学界面，并且腐蚀后在Si表面极 易形成一层薄膜，影响测量结果的可靠性。而用电化学C—V方法检测Ge，Si。．弗i异质材料 的载流子浓度分布的技术就更不成熟。 本文在大量实验的基础上，确定了一种比较理想的电解液。将这种电解液应用于 Bio-Rad 流子浓度分布，获得了重复性好、可靠性高的检测结果。 二实验厚疆啸僦 电化学c_V方法是研究半导体材料中载流子浓度纵向分布的有效手段。这种方法利 用电解液与半导体形成的Shottky势垒代替金属—半导体势垒，对P型半导体施加正向偏压， 或对N型半导体施加反向偏压并加以光照进行表面腐蚀，通过耗尽层的C．V关系计算半导 !堂兰!!里：亡堕：i!童 苎主堡全里旦壁蔓壁兰查垒!生 体材料在不同深度处的载流子浓度，从而自动剥层检测半导体材料载流子浓度的纵向分布。 利用电化学c．v方法检测半导体材料中载流子浓度纵向分布的关键是找到一种电解 液，使电解液与半导体表面形成理想的Shottky势垒．并舷够：对半导体进行均匀腐蚀a 利用电化学c-v方法检测Si单晶载流子浓度的纵向分布，可以获得比较理想的结果”1。但 是，对于Gc,Si。台金材料NH．EHF水溶液的效果不好。Ge，Si。。舍金材料被这种电解液腐 蚀后的表面不平整。导致测量误差较大．如图1所示。通过分析，我们认为这是由于腐蚀 后在Ge，Si。合金表面形成的不均匀薄膜造成的，因为NH霹HF对Si和Gc的腐蚀速率是 不相同的。所以，我们在NI毛F．HF水溶液中加人了适量的HCl。 探度(uⅢ)