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铜基片上金刚石薄膜的生长研究 马志斌 邬钦崇 中国科学院等离子体物理研究所 汪建华 武汉化工学院材料工程系 摘要：采用微波等离子体化学气相沉积法在铜基片上生长金刚石薄膜．针对铜基片的特点．采用涂 层法预处理铜基片，扫描电子显微镜给出的结果表明该法能获得有效的成核密度．同时也增强了附 着力；结台实验现象分析了金剐石薄膜的内应力。 关键词：MWPCVD金刚石薄膜 成核密度 内应力 一引言 铜是理惩的热沉材料，如果在锦上沉积一层微米量级的盎刚石薄膜，不仅可以大大地提高散热 效率，而且能够利用垒剐石薄膜的化学惰性。另外，由于铜的晶格常数为036]nm，与金剐石的 品格常鼗0257na的曼培完配仅为】．J％。因此，研究铜上金刚石薄膜的生长不仅有助于金冈0石薄 腚在微电子工业中的应用而且对异质外延生长单晶金刚石膜有重要意义。 用化学气相沉积法在铜基上生长金刚石膜有很大困难。首先．铜在金刚石薄膜的理想沉积温度 区蒸发速率较大“1，不利于叠刚石晶核的形成。其次，由于铜基上不可能形成碳化物中介层，使得 金刚石膜在锎基上的附着力很小，在通常的沉积条件下往往在沉积或冷却过程中发生金网Ⅱ石膜从铜 基上剥离开来的现象。我们用亚微米金刚砂涂层来帮助形核，在此形核基础上进行连续垒刚石薄膜 的沉积，并讨论了金网6石薄膜的内应力。 二实验工艺 2 1亚微求金刚石砂；糸层 将粒度丈小为oj微米的金刚砂溶、丁雨酮中，用超声波发生器处理溶液得到金刚砂悬浊液。铜 片哪2=金相砂纸抛光．用两酮清洗，然后将金剧砂悬浊液滴定到锕片上，用吹风风干，反复几 移、。 !!微波0离于忙烧蚀 将作好埭层的铜萆片放人石英钟罩微波等离子体化学气相_i冗积装置中．用氢等离子休在较高气 乐(】OK[1a)昶!微波功翠为R00w的情况下烧蚀2m÷n。 ～】12一 2 3超声清洗金刚石砂滁层 待铜片冷却后取出，放入丙酮中超声清冼10min．除去附着差的金刚石颗粒。 2 4 CVD成膛 在通常的金刚石薄膜沉积条件下、玑积，得到金刚石薄膜。 三实验结果 经微波氢等离子体烧蚀后的铜基片再经超声清洗后用扫描电镜观察成核情况。其结果是核密度 接近所用金刚砂的极限密度。而未经过氢等离子体烧蚀的涂层经过超声清洗后金刚砂n乎全部脱 落，表明氢等离子体的烧蚀使得金刚石在铜基上得到圊化，并且这一烧蚀过程锐化了金刚砂的表面 s一形。馀层预处翌后兰冀的垒刚石薄膜的附着力明显增强。 四应刀分折 在通常的沉积条停下金刚石薄躁生往一生沉积或玲却迂程中会从铜基上剥彦ji米。这一现象被认 为是金刚石和锕的热膨眭系努树荨较7：的照眄连成的。低运一原因不能完全解释莅沉{只过程。扣金刚 石薄膜从铜垂!．剥禹这一珊g、。因为一1稳定机稍刊．铜基的热H彭胀达到最大并处十稳定彤：岳。此时 西为基片的热膨9E系敦相著鞍大『『【】引起的较丈热应力井未表现出来。因此我们认为在沉积过程过程 中金刚石薄膜从铜基上剥离是由于随薄膜厚度的增加而增火的薄膜的内应力与膜摹间较小的附着力 失去平衡所造成的。这样为在铜基上得到连续的金剐石薄膜。Narayan等人川采用在铜基片上预沉 积一层舍金刚石的砖膜，然后骨激光辐照使得金刚石颗粒嵌入被脉冲激光烧熔的铜基里，起到籽晶 的作用，同时增强膜婪之匠的附着力。IIa：L蛐11等人㈨用机械方法将铜基分划为许多小格子来群放 厦刀。 IOOSCCII{．Ts-700日c、沉积气压为5OKPa，微注功率为7001I。在实验未采取措施增强膜基阃的附着 力时，金刚石胜上从铜基上整块剥离开桌，吴面积明显大于铜基片的面积。同时金刚石酒膜的本征 应力表现为张麻力。对此似乎自柜矛盾的现象．我们的解释是：在采用退火技术来释放薄膜的应力 u·j．薄膜内部会r“二[坡k的张应力，分刚石薄jj}!仃收缩的趋势．当温度较高时，锶基片由于热膨胀 蜩斟了薄膜的收笔，使得秘脞内存在牧人的张应力。。’退火温皮继续降低菇低于金刚缸薄脏的塑|兰 ，亚形温度时，尽管制题片在嶷续收缩，仁剖j。此m+仝眦石薄麒表现为脆陛变形．簿膜向^积收箭鞍 小，其内部较大奇勺张巧力荐不到秆放，并且锅范片的面积与薄膜面积会随着蕊度