锑化物半导体材料与器件应用研究进展.pdfVIP

，r十五启全国化合物半导体．微波器件和光电器件掌术会议 g-．州’08 P087 锑化物半导体材料与器件应用研究进展 刘超 曾一平 (中国科学院半导体研究所材料科学中心，北京100083) 摘要：窄禁带的锑化物半导体材料近年来被国际上公认为第三代超高速、超低功耗集成电路和第蔓代焦平面阵列红外探测器的 首选材料体系。它们具有的独特能带结构和物理性能为各种新型功能器件的研发提供了极大的发展审问．成为美国、日本、德 国、以色列等发达国家竞相开展研究的热点领域。本文概要介绍了锑化物半导体材料的制备I：艺、存在的问题和器件应用的一 些最新成果。 关键词：锑化物半导体，红外器件，集成电路，GaSb，InSb 中图分类号：TN304．2+3文献标识码： A 文章编号： Research i nSb—basedlII—V semi conductors Progress compound andthei r l i cati ons app Chao Liu，YipingZeng MaterialScience (The Center oflnstituteofSemiconductors,ChineseAcademyofSciences，Beijing100083，China) recent first Abstract：In narrow antimonidebased years，the bandgap compoundsemiconductors(ABCS)arewidelyregarded鸹the for with and candidatematerialsfabricationofthethird infrared detectorsandintegratedcircuits generationphoton ultra·highspeed ultra—low totheir structureand makesavast to various powerconsumption．Dueuniquebandgap physicalproperties，it spacedevelop noveldevices，andbecomesahotresearchareain countriessuchas andIsraeletc．Inthis manydeveloped USA，Japan，Germany paper， are research inthe and ofABCS andsomelatestresults introduced． progresspreparationapplicationmaterials，existingproblems briefly words：antimonide—basedsemiconductor Key material，IRlaser，IRdetector，integratedcircuit，ABC