短周期AlGaAs／GaAs超晶格的MOCVD生长和调射线衍射研究.pdfVIP

短周期A1GaAs／GaAs超晶格的MOCVD 生长及X射线衍射研究 王向武 程棋样 南京电子器件研究所 210016 的生长进行了研究．从衍射谱卫星峰的级数及pendeUosong-干涉条纹的出现。定性地对晶格结构及界面作出 评价．x光衍射涮重结果与HEMT结构电学性能结果有较好的对应关系． 一、引言 在众多的微波器件及光电子器件(如P-HEM／、HBT及半导体激光器)中。异质结的界 面状况对器件性能起到关键的作用。界面的陡度及组分、厚度的界面波动对材料的电学、光学 性能有重要影响。通过外延生长系统的改进及生长工艺条件的优化可以改善界面的状况，然而， 对于界面状况的评价则是材料生长中首先需要考虑的问题之～。另外，在这些高质量的电子器 件中，超薄层厚度(几十埃)及组分的控制也是决定器件性能的主要因素。尽管可以从厚度生 长的生长条件外推到超薄层的生长．但是也有人报道『Ij，在超薄层的生长中会出现组分及厚度 波动。所以，对于超薄外延层的厚度、组分的精确测定也是生长复杂结构材料时需要首先考虑 的问题。 对异质结界面进行定性的评价。 二、生长条件 大小为标准2“。 三、分析及讨论 射谱。从图中可以得到以下信息： l、 从超晶格的卫星峰间距△0，可以得到超晶格的周期： d=^／(2△ecos0) ① 采用CuK。辐射源，^=1．5405 e=33。 2、 从树底峰与超晶格…0级峰角间距△o。，得到超晶格平均A1组分x为： X=△0 ② o／△0^n- △0^1^I为村底峰与AlAB层的角间距，△o AIA*=386”． 根据以上信息，我们可以计算出A16aAs／6aAs超晶格的各个参数。 设dl、也为超品格中GaAs及A1GoAs的厚度，x为alGaAs层A1的含量，则 一 X暑 X ⑧ dl+d2 114 对于MOCVD生长田 X(tl+t2) x～ ④ 一 t2+Xt， t1，t2分别为GaAs及AIGaAs的生长时间 又 d—dI+d2 ⑤ 由@④⑤即可算出X、d，、d。。对于A1GaAs／C,aAs超品格，简化为 d d 2=X ⑥ 表1为我们所作几个超晶格样品的X光衍射谱的计算结果： 表1 A1GaAs／GaAs超晶格X光衍射谱计算结果 }样品号 X d(A) dl d2 X X’ Vl(A／S) V2(A／S) O．17 961110 57 23．6 334 0。29 029 1．57 2．23 961211O。26 69 24．8 43．1 0．4l 0．40 1．65 2．27 1970110’0．32 76 51．7 243 1 70 O．6l V】f．V2，d1、d2分别为Ga缸层及AIGaAs层的生长速率和厚度， x。为触GaAs厚层A1含量的测试结果。 从X光双晶衍射谱，我们还能得到另外两个重要的信息，pendcllosong干涉条纹的出现及 衍射卫星峰的级数。卫星峰的级数与许多因素有关。如超晶格周期数的增加，周期的增大使得 衍射线强度增大，从面使得卫星峰的级数增加，然而当这些条件都相同或相近时，卫星峰的 多少则与晶格质量包括界面的质量有很大关系。对于长周期超晶格，界