电化学石英晶体微天平研究DNA控电位杂交.pdfVIP

电化学石英晶体徽天平研究DNA的控电位杂交 里鱼攻，吴玲玲，周剑章，林仲华奋 (厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室，化学化工学院化学系，厦门361005) 墓因传感器和墓因芯片的工作原理均依据DNA的杂交作用，随着人类墓因组计划的顺利实施，用于 DNA检测的墓因传感器和其墓因芯片的研究已成为热点，而DNA杂交效率的提高是此项研究有待提高 的核心技术之一 Heaton等p1采用SPR技术系统研究不同电极电位下DNA的杂交情况，发现控制正的电 极电位时，会有很显著的假杂交现象(即很阳性);控制负的电极电位，虽能抑制假阳性的发生，但杂交 效率很低.Tarlov等2(,3)通过中子反射比的实验测定表明垂直取向的寡聚核普酸探针分子(ssDNA)有利于提 高DNA的杂交效率.在之前的研究工作发现141，当控制不同的电极电位时，ssDNA在电极表面的取向会 发生有规律的变化:电极表面带足够多负电荷时，ssDNA垂直于电极表面;电极表面带足够多正电荷时， ssDNA平躺于电极表面.我们让末端修饰琉墓的ssDNA探针在石英晶振金电极上自组装，用电化学石英 晶体微天平 E〔QCM)研究电位阶跃下的ssDNA与其互补序列DNA的杂交情况. 0 3 乃 加 ‘ 2 坦 右 、 ﹄ 5 么 0 卜 。 卜 在 - s 礴 - 0 1 - s 1 礴 - 0 2 礴 - 2 s 伯 0 1000 2000 3000 4000 5000 图1ssDNA在杂交过程中的频率响应曲线。 图2金电极在缓冲液中的频率响应。 FiglAf-tcurvesforthessDNA-QCMbiosensorin10 Fig2Of-tcurvesforthegoldelectrodein10mmol/L mmol/LTris-Imol/LNaCl(pH=7.2Xaandc)andfor Tris-lmol/LNaCI(pH=7.2Xaandc)andImol/LNaF(b additionofcomplementarytarget(bandd). andd). 修饰了ssDNA的金电极在Tris缓冲液中的零荷电位佩.)为0.2V(vs.SCE，下同)，而金电极在Tris缓 冲液中的理想极化区为:-0.2V-+OAV.于是选择+0.35V和一O.1V作为所研究的正负电位.图1为 电位阶跃下，ssDNA与其互补DNA在杂交过程中的频率响应曲线图.曲线a和b中箭头 u“p”所指的位 置是电位从一O.1V阶跃到+0.35V的时间点，曲线。和d中箭头 d“own”所指的位置是电位从+0.35V阶 跃到一OAV的时间点.曲线a和c表示背景频率响应，曲线b和d表示DNA杂交过程的频率响应.比较 曲线b和d可以看出，在控电位为一O.1V时，of下降很快.此时的ssDNA垂直于电极表面，有利于杂 交;在控电位为+0.35V时，of的变化很复杂，此时的ssDNA平躺在电极表面，不利于杂交，是一个杂 交与吸附互相竞争的过程.频率在电位阶跃时均发生较大的变化，这是电极表面双电层变化引起的. 图2为金电极在Tris缓冲液和NaF溶液中的频率响应图.如图曲线a和c所示，控电位为一O.1V时， 曲线往下漂移;而控电位为+0.35V时，曲线往上漂移.而从曲线b和d可看出，电极电位为一O.1V和+ 0.35V时，曲线均往下漂移，所以曲线a和。随所控电位不同而产生不同的漂移可能是Tris缓冲液引起的.