对AIAS薄层横向选择氧化速率地研究.pdfVIP

釜宣墨全壁里堡翌基鲎查金垫缝塞墨 !§ 对AlAs薄层横向选择氧化速率的研究 张益杜云潘钟吴荣汉 中国科学院半导体研究所国家光电子工艺研究中心北京100083 摘要本文详细研究了AlAs选择性湿氨氧化的工艺条件和层厚对AlAs薄层横向氧化速率 的影响，得到了可精确控制氧化速率和氧化结果均匀性的工艺条件，并运用湿氰氧 化制各出低阈值的InGaAs垂直腔面发射激光器。 l引言 化层性能稳定，电绝缘性好，折射率低，非常适合于电流限制和光学限制，所以这种氧化 工艺在m．v族半导体器件制备及光电集成中有着广阔的应用前景，目前已广泛应用于垂直 腔面发射激光器(VCSEL)的研制中，并获得了极低闽值电流、高转换效率和商密度二维列 阵”一1。对AlAs选择性湿氨氧化工艺人们已大量研究了氧化过程的动力学问题、氧化产物 的成分、微观结构以及界面情况等[441。为了在器件制各中精确控制氧化过程，保汪氧化结 果的均匀性和重复性，对氧化速率的控制就显得十分重要，为此我们详细研究了氧化工艺 条件以及AlAs层厚度对横向氧化速率的影响。 2实验方法 面结构。露出多对AIAs／GaAs层侧面，清洁处理后放入氧化炉中，再通过氮气携带加热的 水蒸汽经过样品表面而对DBR中的AlAs层进行横向氧化。 由于AlAs氧化后形成的氧化物折射率低，从DBR正面看氧化区域就呈橙色或黄色， 而未氧化区域仍为无色，所以可以方便地在光学显微镜下观察AlAs屡侧向氧化的情况，并 测量氧化宽度。由于多层结构中各AlAs层的侧向氧化宽度存在一定的偏差，我们取每次最 大的氧化宽度作为测量结果。 3实验结果和分析 3．1氧化宽度和炉温、时闻的关系 390“30。C之间时，在30分钟以内d。和t基本成线性关系，即氧化速率是恒定的。 !§ 茎盎叠垒堕墨熊墨蕉堂查垒丝焦塞基 在湿氮氧化过程中有两种机制影响氧化 速率。一个是水在氧化层中的扩散过程，一个 是氧化反应过程。在较短的时闾内，氧化层深 度较小，水的扩散过程相对来说比较迅速，氧 化速率主要受氧化反应本身限制，这时氧化宽 度和时间成正比。由于氧化速率恒定，在这段 时间内对氧化宽度比较容易控制。 进一步的实验表明。当氧化时间再增长 时，氧化宽度不再随时间线性增加，而是更慢 图1不同温度下AlAs氧化宽度和时间的关系 一些。这说明随着氧化层深度增大，水的扩散 过程逐渐起作用，氧化速率也就变为受水的扩散速率限制，这时氧化宽度难以被精确控制。 另外炉温较高时氧化速率很快，氧化精度不易控制，重复性也较差。一般氧化速率小于 2rind／rain时氧化结果的均匀性较好。 3．2氧化速率和氮气流量、采温的关系 为10分钟。 ………n…fH _·l竹h哪—，．I岍1．c) 图2AlAs氧化速率和氯气流量的关系 图3 A／As氧化速率和水温的关系 显然，如果氮气携带到氧化区域的水蒸汽流量未到一定量时，氧化速率是与之有关 缘的水蒸汽大都被吸收参与反应，氧化速率也就受到承蒸汽流量的限制。当FN2和T。。升 高到一定程度，氧化速率便趋于饱和，此时水蒸汽流量已满足氧化反应的需要或已经过剩， 氧化速率就受水的扩散和氧化反应过程限制。这段范围内的氧化过程稳定，重复性也较好。 我们还发现，氧化均匀性和载气气流的稳定性有很大关系，当F。2较低时，气流不太稳定， 易受干扰，从而使同一层AlAs的氧化宽度也不均匀。 由图3可看出，氧化速率趋子稳定的水温襁氧化炉温有关。氧化时为了保证条件稳定， 容器中的水面两度应尽量保持不变，因此水温不宜过高，特别是在长时间氧化过程中。根 签窒壁垒蜜里堡星壁茎查金亟鱼圭盔