低温烧结PNN-PZT陶瓷探究.pdfVIP

低温烧结PNN．PZT陶瓷研究 姜斌，叶耀红，李德红，邓宏，李阳，曾娟，王恩信 (电子科技大学信息材料工程学跨0四Ⅲ成都6toos4) 摘要：采用崔三无乐田溶体PNN．PZT陶瓷中．添 匝丑■至]_虹三卜 加№(nt一5wt％)和Cd(N00，(0．1—5删) 使PNN-PZT烧蛄涯度较蝇PZT吗瓷显著降低(从 匝，I亘卜近圈啼 1200℃降到W00C)，PZT的性托也获得改善．夼电 xJOL 曾衄t}扶710挺高到14∞，舟电辊耗lgd选6．5 匹●Ⅱ茎h四 关键词：低温烧结；PNN-PZT；压电陶瓷 1引言 _压丑橱 囤t棚鲁压电陶瓷的工艺过程 自从l勰0年发现压电效应以来，便开始了压电 F．g1T∞Jmology proe∞ofPrt∞-rin$picmlec岍c 学的历史。石英和Bafi吼陶瓷在压电史上枉起过重 ceramic 要的作用，但是在开发出PZT压电陶瓷以后．大大 粕E孵fIIf绔电Ⅱ圉2所禾。磷埔lI}l蝇矗Ⅱ圈3#醑j最 加速了应用压电陶瓷的遮度，使压电效应的应用出 现了崭新的局面．关于PZT材料的研毙也从主要研 芝 究各种取代添加物对材料性能的髟响．拓宽到微观 结构与性髂的关系．以及如何进一步优化工艺条件 善 改善材料性能·PZT材料的低温烧培，即为其中研究 时阔train 课题之一．通常PZT陶瓷在1200℃左右烧结。PbO 挥发严重，这不仅舍造成环境污染，而且舍导致PZT 圈2预盛曲线 陶瓷的实际组分偏离所设计的配方．使其性能劣化· Fi92P托噜i蛐一ngcqm 研究PZT材料的低温烧结有以下意义：(1)可 以降低能耗．(2)可以减少PbO的挥发．减少陶瓷 组分的波动及偏离设计组成，同时减轻了PbO挥发 所带来的环境污染闯题·f3)在多层舟凳电容器中， 一般用Pt、Pd等责金属怍内电楹·若能降低PZT的 烧结温度．则有可能采用Ag、Ni等熔点较低的材料 田3烧结曲鲲 作为电极，从而降低成本。 F谵3Sinttrin$c㈣ 2实验 3结果及讨论 我们所研究的PZT嘲瓷的组分为：P¨。dh3．1宴验结果 + O屿aNbw)o．当％舭0，+∞．1’5)w嘲M．n023．1，l不同配方由臼介电参敢 (0．1—5)wt僦d2+，根据Cd2+台量的不同，研究了 通过对不同配方试样介电参数的比较·发现5 五个配方a 号配方的介电系数较大(如表I所示，频率为tH-Iz， 压电冉瓷的生产过程一般包括以下几个步骤： 烧结捏度均为960℃)．由此可认为cd增量的不同， 对PNN-PZT的介电性昭膏较大影响- 舯 寰I不同配方的介电参数 O．080nm)，故两者可以无限圈溶．根据相图．在豇 Tablel Diclcctr／cP珈阳me也r ofdiffe艴at