多晶硅电池工艺参数控制的研究.pdfVIP

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多晶硅电池工艺参数控制的研究.pdf

总第 155期 山 西 化 工 Total155 2015年第 1期 SHANXICHEMICAL INDUSTRY NO.1。2O15 . · : , j … : 。I 批_ a— ’ 多晶硅电池工艺参数控制的研究 赵燕娇 , 杨飞飞 , 王海刚 (山西潞安太阳能科技有 限责任公司,山西 长治 046000) 摘要:对电池片生产过程 中的各工艺参数及测试方法进行了研究,阐述了其对 电池片质量的重要性,为 电池 片过程控制提供 了保证 。 关键词:电池片;少数载流子寿命 ;量子效率;表面复合 中图分类号:TM914.4 11 文献标识码 :A 文章编号 :1004—7050(2015)01—0050—05 也是增大的,所以,电导率随着温度 的升高而上升 引 言 (即电阻率下降)。 随着欧盟 、美国对我 国光伏产 品的贸易争端增 室温下:由于施主或受主杂质 已经完全 电离,则 多,我国光伏产业面临的压力 日益增大。在此背景 载流子浓度不变,但迁移率随着温度的升高而降低 , 之下,如何制造高效率、低成本 的硅太阳能电池成为 所 以,电导率将随着温度 的升高而减小 (即电阻率增 光伏能源领域的主要研究热点。如,提高基体材料 大)。 质量 ;降低表面复合,以增加少子寿命、提高光子利 高温下:本征激发开始起作用 ,载流子浓度将指 用率和电池片的外量子效率 ;通过减少硅片厚度降 数式增大 。虽然这时迁移率仍然随着温度的升高而 低硅太阳电池成本等。如何监控电池片的性能,监 降低 ,但是这种迁移率降低 的作用不如载流子浓度 测哪些工艺参数 ,使用什么样 的方法监测 ,显得尤为 增大得强,所以总的效果是,电导率随着温度的升高 重要。研究电池片工艺参数对效率的影响,有利于更 而上升 (即电阻率下降)。 好地优化参数,为高质量的电池片提供依据和保证。 电阻率的在线检测主要使用非接触式涡流传感 器 ,如 ,Simelab公司生产 的 WMT-5及 WMT一3。 1 电学参数及检测技术 离线检测主要通过接触式原理,如 ,GP4test四探针 1.1 电阻率 测试仪,主要针对硅片属于极薄、厚度 d相对于探 半导体的电阻率代表着半导体 中载流子 的浓 针间距小很多而横 向尺寸为无穷大的样 品。如图 1 度,即施主或受主杂质的浓度 ,它是表征硅片掺杂浓 所示 ,从探针 1流人和从探针 4流出的电流,测 出探 度的一项重要参数 。 针 2和探针 3的电压值 ,则电阻率可表示为式 (1)。 电阻率是电导率的倒数 。电导率的大小取决于 ID一() 孚:=:4.5324·d‘ (1) 半导体载流子浓度 和载流子迁移率 ,即,— nq,u。对于掺杂

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