InGaN光伏材料生长过程中缺陷随厚度变化关系.pdfVIP

下载本文档

14
0
约1.18万字
约 6页
2017-08-13 发布于未知
举报
版权申诉

InGaN光伏材料生长过程中缺陷随厚度变化关系.pdf

1、本文档共6页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

第十二届全国固体薄膜学术会议南宁2010 InGaN光伏材料生长过程中缺陷随厚度的变化关系张东炎1’2’3郑新和1唐龙娟1王辉2董建荣1杨辉1 1．中围科学院苏州纳米技术与纳米仿牛研究所，纳米器件及相关材料研究部，苏州215125 2．中国科学院半导体研究所，北京100083 3。中国科学院研究生院，北京100049 厚度(40nm、120nm和800nm)的氮化物薄膜在蓝宝石衬底上经金属有机化学气相沉积技术生长获得。增加至800nm时，发光强度反而卜．降。分析表明，这些不同厚度的InGaN薄膜具有明显不同的缺陷密度，而且与弛豫度之间存在一定的依赖关系。研究InGaN层晶体缺陷．与厚度的物理关系，对降低薄膜位错密度，提高晶体质量，增加InGaN吸收层的光生电流密度和优化InGaN体系太阳能电池结构具有重要意义。关键词：InGaN外延膜；位错密度；应力释放；光致发光 Correlationof DefectDistributionswiththeThickness Crystalline oflnGaN Layers 1 Xinhe Hui Hui 1，Wang ZhangDongyanl，2一，Zheng1，TangLon舀uan 2，Yang 1．SuzhouInstituteofNano—techand 21 51 25China Nano-bionics，CAS，Suzhou 2．Instituteof 1 00083China Semiconductor,CAS，Beijing 3．Graduate ofChineseof 1 00049China University Academy Sciences，Beijing various on Abstract：111eInGaN with epilayers thicknesses(40nm，120nm，800nm)weregrownsapphire bvMOCVD．T11e diffractionresultsshowthattherelaxationoftheInGaNwith high．resolutionx．ray layer athicknessof800nmiSabout1 00％．The wasobservedtoincreasewhenthe photoluminesceneeintensity from40nmto decreaseforthe case withthe thickness6ses 200nm，while 800rim ascompared 120nm-thick demonstratea ofthe and distributionofextended sample．We strongdepend