对影响快速冷却H22F16型红外探测制冷因素的分析.pdfVIP

对澎嫡快遮冷却H22FI 8型红外探测蚤制冷因素的分析 李芎 ，华．!七宅uF毫呵，：c系．i000ljj 摘娶：童L外景铡器‘：多嚣兰也西温T_-‘}．尊罱弛+壬遮微型。：，冠划冷走伏绨化杈红讣舂罔嚣痊是箸斗 …‘+‘ ‘j。 共毽词：三[扑抓．列嚣、b0冷’习案。，沂， 一．概述 我州研究H：：F161{l!快违微型节流制冷光吠锑化镏芝外探测器．已有八、九年的历史． 速制；i经过丁一个较为漫＆酌历终。芝外探测嚣是芝夕卜武器j{勺天键部件，其制冷述度是一礓 制冷光侠锑化镏探测器的快迷制冷砬：≈丁攻关二《眉，经过多茁的多方面分昕、研究和运垮 其研宄、改避过理，我!对几个{爹踊冈豢做L『奇沂，莓，盘育以卜IJL个主要方面： 1结构的特殊性及其几何尺寸微型化，和复杂零件的配合对快速制；令 的影响。 造过程中，由于施-I=零件精度不易控制，造成零件配台盥雉，致使理论研究与实筇不能然 剑完荚H勺一致．膨响丁侠速制冷，为了避免田丁零件搬I：的精度对快速制冷的影响，目前 只能依靠犬量淘汰不台格零挂：米解决这个润题，l：作中的确造戏很夫的浪费，目前结构的 合恪成品率较低．庄此方面依然需要政进，以冕焉成品率。 B：冷腔避的厚度对制玲速度的影响。结构的体积较小．探涮器制冷时闻在窗动时闻测 试记录表上，体现出筵迟丑寸间艰I乇。尽可能的减薄：令髓鼙的厚度成为一时的攻关任务．但 同时还要考虑冷腔壁在低温耳笺下]i咋钧懂鹰问题(过薄或过厚部不是最佳方粟)。经过 多；欠实验和改进．目前，；々腔鼙厚对探删器韶冷速度的影峒已径不人，淘汰辜已经太大砰 低，即此影响因素已篓本排除。 C：结掏冷头』早度对制冷速度的影：琦。结均冷头为倒形、面积小，冷头厚度问题也曾对 制冷速度造成丁长对间的澎：璃。经过多：定改进荤¨测试．目前，成品率已经犬育提高，但依 然不够理想。 D：冷头的平整度一直庄对制冷蘧度造成较为重要的彩啊。庄装配过程甲能够略微．懋蹙 到个别；令头不平，这会使冷央与InCh芯片之闭的膜层加』曼，选啦个别器件蛊动时间略砭或 不够理想。在这一点上要求结构纪装对，严格检青结构的平擎度．以进一步提高成品率· 2快速微型节流制冷器的研制与改进。 开始研制H22F16型光伏锑化铟探测器时，每当遇到崩动时闯不舍格时．我们便会怀翟制冷 器有}国题，这撵迫使快速微型节流铷冷器加适改进一切艘环疑柏地方。这的确提高了成品 率，也促使其成为此生产线上的第一个定型器件，而且，经过比较测试后，证明其质量好、 可靠性高．井具有一定的先进性， 3器件结构与快速微型节流制冷器的合理配合问题。 由，器件结构和制冷器均jL尊，fL坷尺寸微型化疗勺特点，导致加一[零件精确度不易豇 制，使得同类产品的一致性不匀，即档次参筹不齐。这样，裁需要将其加以区别，并连仃 台理搭配和组装。到目前为lt，制冷器可以做到每个微型制冷器经测试启动时间后避{f弦 类，但结构难以做到，只能在黝试时．根据当时测试结果进行适当调整。 4 InSb芯片与结构冷头粘贴技术与改进。 180 光伏锑化铝探测器的装配羟术砭史总糊冷疗面津观出至关重要的作用。有合理、完美 的靖构和高质量的快遗节流割：?嚣均不能浆证一定能配装出合珞的探洳器。 InSb芯片与缩内冷头的融誊技术百似简茧。但在我们装配过程中却递到了很多闻题。 萁早，原因遗经过了非常困难：j研究后．才律蛆发观。我们将启动时间不台格的探测器进 行辞割，芷：苛倍显徽镜F寻绍强察，个≥t的芯片底部与结构冷头有细微构缝隙。这一董可 2) 能育儿个囚紊：(i育可能冷最不平，造成细微的缨缝，庄腔干过程甲使得缝隙更大。f 誊可能同为装配人员在砧姑芯r÷对．未能将芯片结啪口f。不过，这一点天是在最初生产时 育，目前．这个问题已经解决。(3)庄极争捌情况’r．，曾发观放拆卸F的芯片背面不平， 不过，这个现象救为特蛛，．芏最初装芯片对．f’作人员经监不足，忽略了这一点，在生产 过程中，损失不夫，现在己经绝对避免了。