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中团T程热物理学会 传热传质学
学术会议论文 编号:()63247
轴向磁场对环形浅液池内硅熔体热毛细对流的影响+
李友荣刘英杰彭岚吴双应
(重庆火学动力工程学院,重庆400044)
Tel:023-651
12284,E-mail:liyourong@cqu.edu.cn
摘要:为J,.r解轴囱磁场对硅单品生K过程中科髂体热毛细对流过程的影响,利用有5艮差分泫进行了非稳态三维
数值模拟,液池外壁被加热,内壁被冷却,底部和自由表面都绝热,磁场强度为0-fliT。结果表明,当磁场强度
较弱时,流动为三维振荡流;当磁场强度超过某一临界值时,流动被抑制,三维振荡流动将转变成轴对称稳定流
动,为此。分析了三维扰动流动的基本特征。确定了临界磁场强度。
关键词:热毛细对流;讲髂体;数值模拟;轴向磁场;热流体波
1.引言
及其稳定性对晶体的质量有着重要的影响。通常情况下,熔体的运动由浮力和热毛细力共同驱
动,在浅液池或微重力条件下,热毛细力起着主要作用,当沿自由表面的温差超过某一临界值
后,熔体的热毛细对流将会变为非稳定的振荡运动。在过去的几十年中,熔体的热毛细对流及
其转变特性已引起了许多学者的注意。提出了多种抑制热毛细对流、推迟流动转变发生的方法,
在硅单晶熔体产生过程中,加磁场被认为是一种非常有效的方法…41。本文报道了一组轴向磁
场作用下环形浅液池内硅熔体热毛细对流的非稳态三维数值模拟结果,主要目的是为了确定轴
向磁场对热毛细对流的抑制效果,以及对流型转交过程的影响。 ’
2.物理数学模型
d=3mm,自由边界为不变形的平表面。内壁和外壁分别维持恒定温度T:nTh(ThTc),底部和
自由表面都绝热。为简化起见,假定:1)硅熔体为不可压缩流体,除表面张力外,所有物融都
为常数:2)流动为层流;3)在自由表面考虑热毛细力的作用,而在其它固壁表面满足无滑移
条什:4)诱导磁场和磁流通密度可忽略不计;5)硅熔体所有边界都绝缘,因此,电流为零。
在上述假定条件下控制方程可写为:
V·p=0. (1)
孚+v.Vl,=一二跏+W2p+土F, (2)
研P P
匀7’
=二+p.V丁=口V2丁. (3)
岔
其中,v是熔体速度欠鹫,,时间,P熔体密度,P压力,励力粘滞系数,r温度,a热扩散率,
F洛伦兹力,并川下式表述:
‘牡金项目:困家自然科学攮会资助项日(No;
1176
F=JXB. (4)
由Ohm定律和Kirchhoff定律有:
J=a(vXB-va,), (5) 上
d
T
V·J=0. (6)
电流势倒蔫足以‘卜-方稃:
,、
V二驴=Vrl,叉BJ. (7)
图l物理模型
其中,口是外部轴向磁场,.厂是电流通矢量, 。是硅熔体的电传导系数。
边界条件如下:
臼由表面(z《nK%鲣蚴旁:
∥誓嘞万OT,∥誓=乃.为,u=。,警=。,以=。. c8神,
底部(z=口力,‰匹良刎:
内断,o复鲺鲣氏功:
外觏O壹鲺畦火2力:
咋=%=匕=0
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