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第37卷 第 l1期 稀有金属材料与工程 Vo1.37, No.11
2008年 l1月 RAREMETALMA[:rERIALSANDENGINEERING November2008
反应合成AgSnO2中SnO2颗粒形成机制分析
顾 杰,陈敬超,于 杰,潘 勇,张志伟
f昆明理工大学 稀贵及有色金属先进材料教育部重点实验室 云南省新材料制备与加工重点实验室,云南 昆明 650093)
摘 要:通过热力学等计算得出AgSnOz材料中SnOz颗粒的临界形核半径等数据,以此为依据对反应合成法制备AgSnO2
材料过程中SnO颗粒的形核以及生长机制进行分析。结果表明:SnO2颗粒在成长过程中受到基体中sn元素扩散以及
基体颗粒尺寸因素的控制。反应合成法制备的AgSnO2材料中SnOz颗粒的尺寸大多处在约 50am直径的范围,部分区
域中由于 sn的缺陷扩散影响,出现了尺度在200llm左右的较大 SnO2颗粒,由于最后一批形核的SnO2颗粒缺乏Sn的
补充,所 以反应合成法制备的AgSnO2材料 中存在直径在 10nm左右的纳米级 SnO2颗粒 。
关键词:AgSnO2复合材料;反应合成;SnO2颗粒;热力学计算;形核与成长机制
中圈法分类号:TG 146.4 文献标识码 :A 文章编号:1002.185X(2008)11.1947.04
AgCdO作为触头材料具有 良好 的综合性能,应用 添加适当比例的 Ag粉。原料粉末经过成型后制成压
广泛 【卜钔。但由于Cd蒸汽具有毒性等因素,国内外纷 坯,压坯再经室温至 750 ℃,按一定升温速率加热直
纷开始将工作重点转 向代铬材料的研究,1972年,日 至烧结。SnO2颗粒在烧结过程 中反应形成。
本首先提出限制使用银氧化铬 电接触材料 ,此后研制 1.2 临界形核半径计算
成功 AgSiMo、AglnO、AgZnO等材料,并大量生产 反应初试阶段由于 sn和 O 的反应集中于 Ag3Sn
使用。日本和美国研制出了AgSi、AgSiMo、AgSiGe、 颗粒表面,且认为反应初试阶段烧结过程未完成,故
AgSnO2材料,法国研制了AgBi2O3、AgNiO材料, 不考虑畸变能、弹性能对形核过程 的影响,可以使用
其接触 电阻,抗熔焊性,电弧侵蚀速率近似于AgCdO 公式(1)【¨】计算特定温度下生成 SnO2的临界形核半
触头,甚至更好;其中以 AgSnO2最为引人注 目。 径 :
AgSnO2触头材料具有耐磨性好,抗熔焊性强,寿命长 旦
:
等优点,可作为最有希望全面取代 AgCdO 的品种, H T
已受到电器行业的广泛重视 5【J。 式中,盯为 Sn/SnO2界面的界面能, 为反应起始温
昆明理工大学的陈敬超等人利用反应合成法成功 度,△ 为温度增加量,△ 为该温度下的SnO2标准
制各了AgSnO2触头材料 。与传统的复合工艺相 比, 生成焓。△ 可通过 生一 计算得到,特定温度下
反应合成法的特点在于增强体表面无污染,避免了与 SnO2的△ 值通过公式(2)㈣求得:
基体浸润不 良的问题而与基体结合 良好 ;增强体大小
H ():H +口(一298)+lb×10一( 一298)一 (2)
和分布较易控制,并且数量可在较大范围内调整;在 2
保持材料较好韧性和高温性能的同时,可较大幅度地 10s( 一 )
T 298
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