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No．1
第30卷增1 压电与声光 SuppL
2008年6月 PIEZOELECTECTRICSACOUST00PrICSJ咀2008
文章编号：1004—2474(2008)SI一0006-03
Bi4--xLaxTi3012薄膜的制备和性能研究
王 文，杨高强，肖立华，柯 华，孟庆昌，贾德昌，周 玉
(哈尔滨工业大学材料科学与工程学院特种陶瓷研究所．黑龙江哈尔滨150001)
摘
(AFM)等技术手段对Sol—Gel法制备的BTO粉体和薄膜进行了表征，并采用铁电性能测试仪测试了薄膜的电滞回
线。研究了不同热处理温度对粉体物相的影响。在紫外光辐照下，纯Bi-Ti凝胶粉体在400℃处理得到无定形粉
向的钙钛矿相BLT薄膜。
关键词：凰一：L山Ti03薄膜；紫外光辐照；溶胶一凝胶
中图分类号：TQl74．75文献标识码：A
and of ThinFilms
Bi4--xLa工Ti3012
PreparationProperties
WANGWen，YANG Li-hua，KEHua，MENG Yu
Gao-qiang，XIAO Qing-chang，J[ADe-chang，ZHOU
(InstituteforAdvsnced MaterialSdeneeand Instituteof 150001．Chins)
ceramics，Dept．01 Engineering．HarbinTechnology．Harbin
SOI-Gel
Abstractt were UVradiation
Bi．一：kTi3012(BLT．z=0、0．25、0．5、0．75)powderssynthesizedby
method，andthenBLTferroelectricfilms withLa抖were onPt(11 suhstrate．The
doped prepared 1)／Ti／Si02／si
BLT andfilmswerecharacterizedsuch asXRD，AFMandferroelectrietestil鸲tru-
powders by analysistechniques
theBTO werestudied．XRDresults
ment．Inaddition．effectsof onthe of
crystallinetemperaturesphaSes powders
WaSformedat600℃．
indicatedthatan wasformedat400℃，a phasesBi．Ti3012
amorphoUSphase pureperovskite
In 5 wereobtainedat500℃afterBLT
BLT(Bi4一：kTi30l：．z=0．26…00．75)p
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