超浅结亚45nm MOSFET亚阈值区二维电势模型.pdfVIP

第 1期 电 子 学 报 Vo1．43 No．1 2015年 1月 ACTAELECrRONICA slNICA Jan． 20l5 超浅结亚 45nmMOSFET亚阈值区二维电势模型 韩名君 ，柯导明 (1．安徽大学电子信息工程学院，安徽合肥230601；2．安徽工程大学电气工程学院，安徽芜湖 241000) 摘 要：文章提出将亚阈值区超浅结 MOSFET的氧化层和si衬底划分为三个区域，得到三个区域的定解问题 ， 并用特征函数展开法求出了因边界衔接条件而产生的未知系数，首次得到超浅结亚45nmMOSFET的二维电势半解析 模型，并给出了亚阈值电流模型．通过与Medici模拟结果对比发现该模型能够准确模拟亚阈值下的超浅结 15～45nm M0S 的二维电势和电流． 关键词： 超浅结亚45nmMOSFET；二维电势半解析模型；亚阈值电流 中图分类号： TN386．1 文献标识码： A 文章编号： 0372—2112(2015)010094-05 电子学报URL：http：／／www．ejourna1．org．cn IX)I：10．3969／j．issn．0372—2112．2015．01．015 A2一D PotentialSub．ThresholdModeIforSub一45nm MOSFETswithUItraShallow Junctions HANMing．jun ．KEDao．rrring (1．SchoolofElectronicsandlr~formationE,tgineering，AnhuiUniversity，Hqfei，Anhui230601，China 2．colt~gcofElectrical ，ArdruiPolytechnicUniversUy， 札 ，Anhta241000，China) Abstract： Threedefinite-soludonsproblems，whichaledividedfrom theoxide layerandSisubstrateforultrashallow iuric— tionsM_0sfiErs，arepresentde ．A2-DpotentialanalyticalmodelforhteSub-45nmM wihtultrashallow iunctions，whichthe unknownscna besolvedbytheeigenfuncfionsexpansionfrom theconnectedconditionidentity．isderivde ．n圮sub-thresholdctwt~nt modelisalsopreesnted．Accordingtothecompariosnwiht N正DlCI．htemodel3(na accuratelysimulate htesub-threshold2一D poten— tial nadcurrentofUsJs15—45nm FETs． Keywords： ultrashallow iunctionssub-45nmMOSFETs；2．Dpotentialesmi—analyticalmodel；sub-thresholdcurrent 现有的亚阈值区二维解析模型均未考虑结深的影响_3J， 1 引言 由于有衔接条件的定界问题的求解有一定难度，目前也 随着集成电路制造工艺的快速发展，根据器件等比 很少见到有衔接条件的亚阈值区MOSFET二维电势的 例缩小的原则，源 ／漏结深越来越浅，2011年 rI]Rs_1J