z320×256GaAs_AlGaAs量子阱红外探测器.pdfVIP

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V01.37红外与激光工程 第37卷第l期 Nol LaserEn西nee咖g2008年2月 and 【lO】 8002320×256.beF 史衍丽 器测探外红阱子量sAaGlA/sAaG 摘 (昆明北方红外技术股份有限公司探测器中心,云南昆明650215) 【ll】 要:采用n型GaAs/舢GaAs量子阱材料,反应离子刻蚀娅设备进行光栅、像元分割刻蚀,制 【12】 备了320×256格式的长波量子阱红外探测器,像元中心距30斗m,像元光敏面28pm×28岬,两像元 囊词萋婺?罾器鬈奏嚣攀卧孰i錾蚕≤妻及夼苗魍箅萼硅训蔑爆慑囊鼢暖堂乳蟹;戮鄹勘塞羹粪襄霎=王凑羹 豁g葛耋翻暖囊酗鞘舶萋盈噎魏鞫i滗灞隅氆慵强憾签菱翼要墓一鼍托;翼墓i稻一j型蔫淄雾差j妻亍耋蠢, 酾豫蔷i霉奏茎蛩薹垂霪; 霎黪目§鐾妻蒸gi 量毒宁严融雾舞是≤ 冶找弛亚一i 【13】 能材 【14】 驯暇 料)来提高此类材料的热释电性能。 参考文献: LANGS tomod鲫 n5】 B.Pyroclecnicity:丘咖粕ciemcuriosity imagingtool【J】.孙徊aT咖。2005,卵(8):3l’36. RoGERW and W.Pymel影晡c锄ys:c踟icstl血丘lms【J】. J勘艘缸盹er锄。2004,13(1—3):139一147。 z}IoNG 【16】 wei-he.Fe㈣l∞t—c舶蜘蕊【M】.Beij蛾g.Sd∞cc PIlbl Hou∞(钟维烈.铁电体物理学.北京:科学出版 ishing 社),199B. Kl『IWICl(IB H et M,^M附A,BERATANR a1.Pyr∞lectric ima 【17】 ging【C】,,Pm∞edin挚afⅢEE,hl盯symp嘴Appl Ferm d扰仃,1992,90,CH3080一9:l—lO. YANGW蛐.R雠arch∞the mterialsuscd衙 py加dec仃ic n把岫cooled‰al 【18】 pl粕e蝴ys【D】.Chengdu:UniV铘时 日ec咖icScienceand1kho∞l 0_gy0f

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