高亮度LED之“封装光通”原理技术探索.pdfVIP

圈l量子井(QuantumWelhQW)的结构图 国2HBLED组成的交通方向指示灯 g裸晶层——换料改构、光透光折拉高出光牧率 如果光转效率难再提高，就必须从出光效率的层面尝试，方法相当多。不同的化合材 料也有不同。目前，HB 来产生高亮度的橘红、橙、黄、绿光；后者Gab]用来产生绿、翠绿、蓝光，以及用lnGaN 产生近紫外线、蓝绿、蓝光。 加入新的材料层、改变材料层的接合方式、不同的材料表面处理等。不过一无论如何变化， 都脱离不了两个原则：一是降低遮蔽、增加光透率；二是强化光折射、反射的利用率。 使p-n接面散发出的光有一半被遮挡吸收，造成光能的浪费。因此，改用透明的GaP材料 type)部 分做成网纹状(Mesh Patmm)，以此来增加P极的透明度，减少光阻碍同时提升光透量。 至于增加折反射，在AIGalnP的结构中增加一层DBR(Distributed Bragg 三氧化二铝)来增加反射，同时将基板表面设计成凹凸纹状，以此增加光反射后的散射角 度．进而提升取光率。德国欧司朗(OSRAM)使用SiC材料的基板，并将基板设计成斜面， 也有助于增加反射，或加入银质、铝质的金属镜射层。 亮度提升的LED已经跨足到公共场合的号志应用。图2为国内工地外围的交通方向指 示灯，该灯是用HBLED组成。 为最基础标准的LED几何结构，接着开始加入DBR(DistributedBragg 再来是有DBR后再加入电流局限(Current Minor (Omnidirectional 换成si。 成更佳的N01A结构，2005年则是ThinGaN结构(如图4所示)。 兰■言尘■兰堡垦柰 ～贰冒 。爨置 。塾国 Mb』■■■■l Ⅳ眦w■■■■ 兰l专 綦一 LED的发光效能强化法 圈4GaN，In6aN化台材料的LEO的制程结构光通 图3各种AIGalnP 强化法 4封装层——抗老化黄光、透光率保卫战 从裸晶层面努力增加光亮后，接着就正式从封装层亟接手，务必使光通维持最高、光 衰减至最少。 (困“苯环”成分)，进而影响光亮颜色．尤其波长愈低时老化愈快，特别是部分WLED 使用近紫外线(NearUltraviolet)发光，与其它可见光相比其波长又更低，老化更快。 列LED即是改采用矽封胶。 Luxeon，其它业界公司也都有矽胶方案，如通用电气一东芝 使用矽胶的不只是Lumileds 7010等也都采用 LED的矽胶封装方案。 矽胶除了对低波长又较佳的抗受性、不易老化外，矽胶阻隔近紫外线使其不外泄也是 Toslliba的 对人体健康的一种保护。此外，矽腔的光透率、折射率、耐热性都很理想，GE InvisiSil具有高达1．5--1 4l，如 长低至300hm时仍有75％～8％的光透，或者与折射率进行取舍，将折射率降至1 7010在 此即便是300rim波长也能维持95％的光透性。同样的，DowCoringToray的SR 180C～200℃的水平，关于热的问题在此暂不讨论。 此外，也有业者提出所谓的无树脂封装，即用玻璃来作为外套保护，或如日本京瓷 (Kyocera)提出的用陶