磁性薄膜的磁力显微镜的研究.pdfVIP

磁性薄膜的磁力显微镜研究 孙志刚韩宝善沈保根 中国科学院物理所磺学国家重点实验室北京100080 摘妻本文简要地介绍了磁力显徽镜在磁性薄膜中的应用 材料纳米颗粒磁性等方面进行了大量的研究口l特别是薄膜样品不莆要作任何处蟹用IvlFM进 行研究是很方便的． 磁记录存储介质特别适台女肝M的研晃磁记录样品一般有保护涂层和厚的衬底，这使得基 于电子束的磁成像技术的运用产生困难，但这对Mb-M研究则没有影响．磁记录膜具有较高的剩 磁和矫顽力．因而在表面有强的杂漱磁塬在磁力目l上产生强的信号和反差同时也因为高的矫 顽力，而现有的商用磁针的一般为Q口脯和磁记录样品匹配磁针的杂散场对样品的磁畴结构 几乎没有影响．迄今为止这方面的工作有．在数据存储介质写入完整的磁测试花样，用于理 旁羚征强I的行为和研究各种成像模武；用于磁化花样的及时反馈用干磁头电流的研究．以确定 合适的电流强郎】．媒质的磁记录行为如记录密魔信号和噪音等也进行办砷d研觅如0Dsnl媒 质的自消碱效应脚将磁信息和形貌信息结台起来CoO薄膜的磁畴结构与薄膜形貌之间的关系 的研究结果表明平均晶粒尺寸为50纳米畴宽度为瑚纳米这是由于晶粒问的磁性耦合引起的． 而这种耦合就是与媒质噪音有关的重要因素f孔磁光记录媒质是教据存储介质的另一大类．它 究发现／lar-eCo磁盘在外加小偏场时写入的磁斑是由许多小微畴的集团组成 软磁材料的矫顽力小磁针的杂散场对它有较大的影晦因而软磁材料的磁力图的获得是 对b怔md研究的一个挑战尽管如此，软磁材料啦佩d研究也取得了不少的成就．如徊、醌(坡 上观察到都金香畴型嗣． 并辅以徽磁学模拟研究其反磁化过程结果表明薄膜材料蜘肝M研究为微磁学理论的验证提供 了有利的证据丑u等人f10】还研究该薄膜的磁畴结构随温度的变化关暴表明随着温废的升赢 交换偏场减弱，形成多畴结梅而且温度上升有利于沿着畴壁形成Cross-tie结构． ^征M在垂直磁化的磁性多薄臆如黝魄。肪，D，AqQln岫l的微细的磁畴结构的观测和研 至lOma之问时开始出现亚微米磁泡晾表明存在着不同的能量或动力学机制【111． 152 对硬磁薄膜运嘧m卧l进行了很多研免如在}Ⅶ≈B膜中发现7磁畴结构为直径l∞m的圆形 晾并跨越多个晶橱121．列套脚艉班多层膜以及N舾出腩，卜班啦交换耦合三层膜【13l也进行 TMFIVl研觅发现了存在着相互作用畴结构．纳米尺度Fe／Pt多层膜在快速退火后最大磁能积可 薄膜的磁畴结构以及磁导率与膜厚之同的关泵发现了这些膜具有强的垂直磁备向异性磁各 向异性能与静磁能之比约为22而且≥最R层的厚度；L10m降蛰jsnm时磁结构发生巨大变化 颗粒膜如Q合金薄膜因制造工艺比多层膜倚取而且具有优良的磁光特性和巨磁电阻效应， 已引起了人们的重视．倒姬R删等～l跚究了纳米晶co膜的磁畴结梅他们在1‰厚 的曲膜上观察到了Cross-fie型的磁畴结梅通过测量杂散场的z分基喻偷d可看到单个的 Cross-tie磁畴结构和畴壁中的Bloch线 铁磁薄膜的反磁化过程可由两种不同机制决定形核或者畴壁移矾MFM研究能为铁磁薄膜 层16mn厚的c咖膜在反磁化过程中畴的形核总是在同一地点反复进行’而畴壁移动是单向性 嫩砌蛐等～切还研究了非晶rb盹薄膜和odm多层膜的磁壁秽巩他们胁羽、d观察到在外场下 因缺陷钉扎畴壁片断的可逆弯曲和跳跃武穆巩 参考文按 1．Y．MartinandH．K．WichramashingletAppl．PhysLett．，50(1987)，1455 J．Martin 2 H andD．Rugar，Scarmmg 韩宝善，物理拍智1997)to期，617一饼：P．Gruttef Tmmeling t151-207． 。 Microscopyn 3．P．or毗日D．RugarJt．J．Maminet al，J．Appl．Phys,69．(1991)．5883． 4 D．RugⅡ,FLJ．Maminetal，J．Appl