大直径硅片工艺技术及其晶体完整性的研究.pdfVIP

大直径硅片工艺技术及晶体完整性研究 、 屠海令 (北京有色金属研究总院，北京100088) ● - 摘要随着超大规模集成电路设计线宽向深亚微米级(o．5呻)发晨。对 大直径硅片质量的要求越来越高‘，提高晶体完整幔：．减少污染和采用缺陷工旌方珐 改善表面质量的研究更加深入。本文用速了举亚微米集成电路用大直径硅片工艺技 术、表面完整性和洁净程度韵研究热点和检测技术发展趋势。同时还介绍了硅及绝 、 ，；缘体上硅’(s0I)材料的缺陷工程研究。． 1引育 当前，大直径单晶生长和晶片加工技术 半导体硅作为现代电子工业的基础材料 一直是热门的研究课题。1997年全世界生 已有半个世纪的历史。尽管集成电路密度遵 产硅片总面积达40．55亿平方英寸，其中直 循“摩尔定律”不断提高，设计线宽急剧减 径200ram酶硅片占37．4％，直径300ram硅 小，硅材料总能适应器件发展，满足其越来 片占0．4％。失直径单晶生长设誊往往都配 越苛刻的需求。近年来，世界各发达国家相 备磁场装置。使用磁场控制直拉单晶中氯含 继推出的信息高速公路计划，进一步莫定了 量的实验还在继续，实验证明，磁场对改善 半导体硅在2l世纪持续发展的基础。可以 P200rm以上的大直径单晶的均匀性具有实 预计，硅单晶和硅基材料的均每性、完整 际意义。目前世界仅有的几台拉制直径 性、材料特性与器件工艺及器件性能之间的 300ram的单晶炉亦都装有磁场。Ferrofludic8 关系将成为决定新一代集成电路质量、成品 公司还在300ram单晶炉上采用双拉头装置， ‘ 率和可靠性的重要因素。 较好地解决了大装料量时稳定拉晶的问题。 对于深亚微米超大规模集成电路所需的 此外，直径200ram以上硅片的切割，已普 直径200111111乃至300ram的硅片来说，其工遍采用线切削机，以提高效率，节约原材 艺技术、成本、基本参数指标、表面污染、 料。、图l所示为使用线切割机制备200ram 表面形貌都面临着新的挑战。同时，集成电 切片的。兀V分布情况。由于种种原因，世 路用硅材料检测方法也将成为今后研究的主 界半导体产业向直径300ram硅片发展的速 要内容和推动产业发展的关键。本文将简要