沟槽型衬底台阶的制备及特性的研究.pdfVIP

· 辨州k个l茸趟甘，诤6；11，超寸也j：学嚣rf。j术；：议I它史0：6 沟槽型衬底台阶的制备及其特性研究 马 平王继纯 王守证刘乐园 聂瑞娟 胡晓东王世龙 戴珥东 北京)、’#物烈’’}乐(．ILs?；100871) YBa!CujO，d、．BCO)}；D收什掩膜．以离j：刎l二10一tLn 擒篮：小I作，tj咒刘投扫”i SrTiO；(STO){_qJfi=E刻jH沟妒掣台阶，青阶堵度町逃撕。以j：人邵分 LaAIO；(LAO)羁t K域^：5(F一60‘之n+： 和：人们发腱}{{的符轩“濉超导缩q，，台阶缩能满足rfSQUID的要求．“…勾槽拟结 分辨j簪优J．30FFIHz”，磁通分辨率优f2×10～F。、忸z12这已经rq以满足^、多数川Ii疗断 的要求，垃较囱．发腱前选的‘。类器件。 衬农j：沟槽膏阶的刻蚀制箍过稃W以简t社地分为以r儿步：先戎基”f徼岍苦宵沟橹 陶形的掩膜，再fH离J：捌蚀的办法将罔形传递剑基”f：：j『：达到…定深度，垃听女撺掩膜得 到；自惜型台阶对底。 I：隆容易，小伤钉呔．秆{比之r．’1．艺较为筒t弭。{q9bJl}这种掩膜制备}{f氏台阶!!i}戢彳。 』，{醴好的效果。孜们也使jIJJ’多年，何彳『相；l’岂不稳定的问题，这里嘶原W较彩．如所j{j 【约毙刘没衢J作小稳迁．离J：剡蚀机的高r求准l≮。rE0：寞f等，氨I何缁到·个稳定的l岂流 “，,L--我们“1i讨急i岳解iJfiSn4题， q、i目勋、l：多年研究台阶结的经验f3～5) z：钉．，i家得到的j：眦械足：臼E，、ff{度a必 须耍人】：450，／j能红YBCO超导艇巾有效 地，二7I-颗粒t；^界以形战超导弱连接。 为r在衬窳1．甜到人j-．45。的台阶，拄 ：艇f【f_离子刻蚀l岂赴很tt便的。拧制经过离 千刻蚀得到的台阶的踺I复，钨：某种科瞍I：就 足控制刻蚀图形的轮f曩它tJ掩膜材料的特 ‘P{：囱I前誊f』J的疋糸 图I 掩膜及衬底图形轮臻刻蚀演变图 我们¨J以砹照!氨阳0-il,0离J：纠蚀情；，己，离r求法向(即垂Ar样。恼农lf_【)入剥条仲t F，掩膜技衬底刻蚀㈥形轮廓演变过程fuil刳1所示f6)。存掩膜足够厚的情；圮卜，离，柬对 次定J7卡寸畋ff阶的6止f堑：掩JJ；l臼阶侧瞪收缩越馊，订底台阶就越陡。 码 哥等÷YBCO淘艚型台阶姑徊rr$OU_fD肋制备发控艚研究 当掩膜t{，的小斜面A～部分延伸到村底表面时，掩膜台阶侧壁消火。此时，出JI小 斜面的后退比原来掩膜台阶侧壁的后退要快得多，衬底就会比原来过快地暴露出来。狂刻 蚀时间不太长时，衬底台阶的I：拐角(j：台阶)处变圆；时间稍长，L台阶就出现一个小刻 面。 提高衬底台阶的陡度，实际j：就是要尽量减缓掩膜台阶侧壁的横向收缩，降低衬底台 阶的横向刻蚀速率，这个问题可以有几种解决办法，其中之一就是提高掩膜台阶侧壁的陡 度，使入射离f幸H对于掩膜台阶侧壁阜大角度掠射状态，可以大大降低掩膜台阶边缘的横 向刻蚀速率。‘从而减少衬底台阶的横向刻蚀。 由以j：分析町知，掩膜层中图形边缘轮廓对得到的衬底台阶的陡度是有影响的，为提 高刻出的衬底台阶的陡度，从理论fj讲掩膜台阶的陡度越大越好。 我们在』fJYBCO材料作掩膜刻台阶时，掩膜图形源f光刻胶的图形，光刻胶上的图 形是经过曝光、显影、定影等工序由光刻模敝给出的。从中可以看出，将光刻胶上的图形 传递到YBCO掩膜层的过程，决定rYBCO掩膜图形边缘台阶的陡度，并进而影响村底 台阶的陡度。 考虑到光刻胶本身的特点．在光刻胶层中获得所需图形的同时，也可以通过调整曝 光、显影时间等工艺使图形边缘台阶很陡，这样，配合离子刻蚀的方法，在将图形传递到 YBCO掩膜层中时，也会使YBCO图形边缘台阶很陡，进一步在衬底l：刻出能达到所需 角度的台阶。 2实验方法 制各沟槽型台阶的工艺流程如图2巾所示，详述如下： 豳匮圈 图2用YBco作掩膜制高稿艚型台阶的工艺澎程囝 J}j强流磁