Ka全频段低噪声放大器.pdfVIP

工作原理框图如图3所示： 波 波 导 导 ——◆ 微 带 过 渡 图3 2．3 低噪声放大器各参数估算 1 ．总增益G。估算： 郇 一1+12+17+17—1 。44 dB 2 ．总噪声系数Ⅳ，估算： F≈厅+ 尼一1 ／G1+ Fs一1 ／GIG2 1．28 1．07 dB 3 ．增益平坦度： △G △Gl+△G2 ±O．5+±O．5+±0．5+±O．5 ±2dB 从以上低噪声放大器的参数分析可以大概的估计运用以上单片基本上可以实现放大器 的各项指标，唯一只有放大器的平坦度，理论分析得出的结果已经比较接近于指标的要求了， 可能实现起来比较困难，但我们可以通过后期的调试来改善这一指标。 3 低噪声放大器的实现 ‘ 3．1 电路的安装 软基片制作的微带电路中。整个腔体由隔板分为上下两腔，上腔安装射频电路，下腔安装直 流偏置电路。上腔尺寸的选择应该使波导的高次模截止，为了消除自激，应该在盖板和腔体 内壁粘贴吸波材料，并在单片之间加装隔板，盖板离电路的距离应在 5—10 h以上，最 靠近边缘的导体条带距腔体壁侧壁的距离应在3厅以上H1 62 3．2 偏置电路Ⅲ 漏极、栅极偏压经由软基片上高低阻抗线组成的低通滤波器通过金丝焊接到单片芯片 上，为防止自激，各级偏压之问应加一定的去耦电阻，同时，为防止低频自激，偏置电路应 和ADP3603 4．5—6V稳压到_3y