硅芯片外引线键合的热压焊装置及焊接工艺.pdfVIP

维普资讯 第27卷 第5期 焊 接 学 报 Vo1．27 N。．5 2006年 5月 TRANSACTIONSOFTHECHINAWELDING INSTITUTION May 2006 硅芯片外引线键合的热压焊装置及焊接工艺 王 权 ， 丁建宁 ， 薛 伟 ， 凌智勇 (1．江苏大学 机械工程学院，江苏 镇江 212013； 2．温州大学 工业工程学院，浙江 温州 323035) 摘 要：针对压阻式微型压力传感器封装工艺中，硅芯片外引线键合的要求，分析了热压焊引 线键合原理 ，研制了热压焊装置。在扫描电镜下，对键合点进行 了微观分析。使用接合强度 测试仪对压焊键合点强度进行了拉断试验，测得键合强度拉断力都在0．17N之上。通过对金 铝压焊处金属问化合物及其扩散深度随温度增长关系的研究 ，键合时调节压焊控制台电压使 衬底温度保持在 150～200oC，压焊头辟刀温度保持在 150oC左右，从而保证了压焊点接触的 可靠性。 关键词：压阻式压力传感器；引线键合；热压焊；金丝 中图分类号：Tit212．12 文献标识码：A 文章编号：0253—360X(2006105—061—04 王 权 0 序 言 焊接区压焊在一起。其原理是通过加热和加压力， 使焊接区金属发生塑性变形，同时破坏压焊界面上 微机 电系统 (MEMS)技术起源于微型传感器的 的氧化层，使压焊的金属丝与金属接触面间达到原 发展，最初用于生产固态半导体硅压阻式压力传感 子的引力范围，从而使原子间产生吸引力，达到键合 器，当MEMS技术迅速崛起之后，大大促进了微型传 的 目的。此外，两金属界面间不平整，加热加压时， 感器的技术进步，并使各种类型的传感器微型化，微 可使上、下的金属相互镶嵌 J。在硅芯片电极制备 型传感器已经成为 MEMS的重要组成部分之一。目 工艺中，在硅片表面淀积一层金属薄膜与 si形成低 前具有实用价值并得到较广泛应用的是微机械力敏 的欧姆接触电阻，制作欧姆电极接触。为了达到半 传感器，主要有压力传感器、加速度传感器、角速度 导体器件对金属化系统的低互连线电阻和器件稳定 传感器等，而其中应用最广的是半导体硅压阻式压 性的要求，对所用材料一般要求有 良好的导电性，且 力传感器…。 与Si和S 薄膜粘附性好，不产生有害反应等。在 压阻式压力传感器的制作不仅包括芯片制作，而 中低温压阻式压力传感器芯片制作中常用蒸铝来形 且包括封装工艺；封装 占总成本的很大部分，由封装 成压焊台，如图1所示。 引起的失败 占废品率的3／4_2J。外引线键合是关键的 封装工艺之一，其主要选用退火后的金丝，采用热压 焊技术，将硅芯片上4个力敏电阻连接成惠斯登检测 电桥_3]，在实际批量生产中，其重要性不言而喻。 针对大批量生产的需要，研制了硅芯片外引线 键合的热压焊_4装置，实践表明其容易操作，效率 高，压焊键合点可靠性好，满足了封装工艺的要求 ， 具有实用性 。 1 热压焊引线键合原理 图1 某一硅芯片压焊台SEM图 热压焊是利用加热和加压力，使金属丝与金属 Fig．1 SBdpictureofonesiliconsensingchip 收稿 日期：213O5—03—07 硅芯片外引线键合是将硅芯片上的电极用热压 基金项 目：浙江省科技攻关计划项 目(2005C31048)；镇江市产学研 项 目；江苏大学博士生创新基金资助项 目 焊键合方法 ，使金丝与触突焊接点相连，然后穿过已