磁控溅射制备AZO／Ag／AZO透明导电膜的性能研究.pdfVIP

维普资讯 第34巷第 12期 光电工程 V01．34．No．12 2007年 12月 Opto—ElectronicEngineering Dec，2007 文章编号：1003—501X(2007)12—0038—04 磁控溅射制备AZO／Ag／AZO 透明导电膜的性能研究 贾 芳 ，乔学亮2，陈建国2，李世涛2，王国锋2 (1．深圳大学 深圳市特种功能材料重点实验室，广东 深圳 5l8000； 2．华中科技大学 模具技术国家重点实验室，湖北 武汉 430074) 摘要：选择 ZnO2与 Al203质量比为 97：3的靶材为溅射源，用射频磁控溅射法室温下在玻璃基底上沉积 AZOA／g／AZO薄膜，讨论了氧流量变化对薄膜透光率、方阻及表面形貌的影响并深入分析了机理。研究结果表明， 氧流量变化会导致薄膜沉积厚度的变化，氧流量为4时薄膜沉积速率最快。沉积 AZO时充入氧气会使整个膜系 的透光率不随Ag层增厚明显降低，并且会使膜系的方阻降低。在最优氧流量为 4L／min(标准状态下，下同)上下 各沉积59nm的AZO与氧流量为0时沉积 33nm银层相匹配的复合膜在可见光区(包括基底)的透光率达到90％， 方阻为2．5D．D／。 关键词：磁控溅射；AZO／Ag／AZO；透光导电膜；透射率 中图分类号：0484 文献标志码：A PerformancestudyofAZO ／Ag／AZo transparentconductivemultilayer preparedfilmsbyR．Fmagnetronsputtering JIAFang，QIAOXue-liang2，CHENJian．guo，LIShi-tao， GGuo．feng (1．ShenzhenkeyLabofspecialfunctionalmaterials，Shenzhen518060，China； 2．StatekeyLabofDie＆MouMTechnology，HuazhongUniversityofScienceandTechnology，Wuhan430074，China) Abstract：Metalbasedon transparentconductivemultilayerfilms，AZO／Ag／AZO thin films，isprepraedon glass substrateatroom temperaturebymeansofradiofrequencymagneticsputteringusingaceramictargetwhosemassratioof ZnO2toA1203is97：3．Theinfluencesof02flow rateontransmittance，sheetresistanceandsurfaceappearancewere discussedandthereasonswerestudiedindetail．Theresultsshow thatthethicknessesofthinfilmsareinfluencedby02 flow rate，nadthedepositionrateisfastestwhen02flow rateis4L／min．Thertansmittancesofthinfilmsraenotreduced wihthtickn essincreaseofAgfilms，when02isintroducedtoAZO thinfilmsdeposition，andtheresistancesarereduced．