闪锌矿型四元半导体薄膜太阳能电池的制备.pdfVIP

第四届全国大学生创新年会 2011年10月 The 4thChineseUniversityF。mm Oct201 Stud∞ts。cfeativity 我们根据文献报道的典型薄膜太阳能电池的基本结构5，设汁了基于闪锌矿结构四元半导 体薄膜电池的结构，主要包括TcO导电层、zrl0窗口层、纳米颗粒吸收层、金属电极层。我们 的项目工作也是围绕吾部分材料的制各和电池的组装来展开。 1Cu2ZaSnS4材料的晶体结构和理论模拟 c“2znsns‰的晶体结构属于四方晶系，为闪辟矿结构的超结构，空间群为1—42m，晶格参 数a=lF5693，c=11333。 度近似(GGA)的PBE方法作为交换关联函数。计算中平面渡截断能为340eV，布里渊区采 用4X4X2的k点同格，总体能量收敛于2×10，5eV／atom，原子问相互作用低于0．5eV／am， 内应力偏差为01GPa。 我们使用实验品格常数对cu2znsns‰的晶体结构进行了优化计算。得到优化后CuxZnSnS‰ 5096，b-5,71 的晶格常数a_5．71 5105，c-11．48261，与实验值非常接近。我们还计算了优化 后的cu：znsns缸晶体的能带结构和态密度，得到其能带结构图和态密度图(如图1)，得到 Ca2ZnSnS“为直接带隙半导体，禁带宽度为0 023eV,与文献报道的实验值(1．5ev)有较大差 距(密度泛函理论在计算带隙时普遍偏低)。通过分析总体态密度和分波态密度，得到导带底 道组成。 ●s“(‘) ”。0L。_=．立凸 目lcu2znsnse．‰(a)晶体结构，(b)能态结构趴(c)能春密度圈 2光电器件的合成和组装 21 gn0薄膜的制备 我们采用溶腔凝胶法在F1n玻璃基底上制各了一层zn0薄膜．并探索了前驱物溶液浓度 薄膜厚度，对氧化锌薄膜质量的影响，glZnc]2溶液在制备的zn0薄膜上制备了一层缓冲层， 并探索了其对薄膜的影响。xRD衍射忧样显示其为六方zn0，并沿(002)晶面取向生长。 第删届全目大学生创新年会 Forum Oct201 201】年10月 Students’Cmtivity The4thChlne∞Unlversity 2．2CZTSe纳采颗粒的台成和表征 20．1可分散在有机相中CZTSe纳米颗粒的制备 鉴于CZTSe中含有3种金属元素，很难合成，容易形成各自的硒化物．在XRD图谱中 显示其他物相，我们是使用溶剂热技术．以油胺为保护剂，采用热注入的方法制备了作为太 示得到的纳米颗粒与标准图谱对应得很好，无杂相生成。TEM照片(如图3)显示CZTSc纳 米颗粒的粒径在20rim左右，粒径分布较均匀。 i{t-◆。 邀 圈2CZTSc纳米颗粒的XRD衍射花样 图3CZTSe纳米颗粒的TEM照片 2．2．2 CZTSe纳米颗粒的光学性质表征 通过测定czTsc纳米颗粒的吸收光谱(如图4)，转换得到(山f对应光子能量的曲线(如 图4内图)，对其做切线与x轴相交，根据半导体的光学带宽公式：扣A(¨EJ呲得到czTsc 纳米颗粒的禁带宽带约为1．SeV。其中，A是常数-Ⅱ是吸光系数，EB是禁带宽度r直接带隙半 导体mffil， 图4CZTse纳米颗粒的吸收光谱．内囤为由吸收光谱推导其禁带宽度的图谱 23纳米晶薄膜的制备和光电器件组装 我们使用旋涂机。采用配体交换的过程．通过有机相分敞的纳米颗粒一巯基乙酸的乙醇溶 液一有机溶剂清洗的循环步骤，得到层层组装的纳米晶薄膜。最后使用电子