法国研发采用低成本130nm CMOS晶体管的太赫兹成像技术.pdfVIP

3善 ￡ 糕诬瞻旺 鹄 氆 艟 photoniccrystalcave／ 图3位于碳纳米管红外探测器顶部的光子 晶体 的原子力显微 图 0 5 10 15 20 25 图4采用和不采用光子晶体 的碳纳米管红外探测器 的时间光 电流响应 (信息来源： SPIENewsroom) 口 高国龙 法国研发采用低成本 130nm CMOS 晶体管的太赫兹成像技术 在过去的10年中，太赫兹 特色 的吸收光谱。这使得人们 探测器等。这些探测器大多需 (THz)系统及技术 已受到人们 可以利用THz光谱技术来进行 要用专 门的非常规技术制备， 很大的关注。THz辐射的频率 物质如爆炸物或毒剂 的辨别。 唯有 CMOS探测器可采用极其 为 300GHz一3THz，可 以替代 THz辐射有许多商业应用，从 普遍的低成本硅 CMOS工艺制 能够透过纸张、布料和许多塑 无损测试、医学成像到物体人 作。与上述其他类型探测器相 性材料进行成像的x射线。但 体安检、安全通信 以及 THz光 比，CMOS探测器容易制成探 与x射线不同的是，THz辐射 谱分析不等。 测器阵列或多像元系统，后者对 不会产生 电离作用，因此对人 目前用于探测 THz辐射 的 于视频速率成像是很重要的．而 体健康是安全的。而且，由于旋 探测器有测辐射 热计、肖特基 且场效应 晶体管的响应时间也 转和介 电共振 的原 因，许多分 势垒二极管、热释 电探测器、高 非常短，不到 lns，这对于视频速 子在 THz波长范围具有非常有 电子迁移率晶体管 以及 CMOS 率成像来说是一大优点。Pfeif- http：／／journa1．sitp．ac．cn／hw INFRARED(MONTHLY)／VoL．32，NO．3，MAR2011 fer等人和 Ojefors等人分别于 试。 空间分辨率为 3mm，这相 当于 2008年和 2009年介绍过第一种 1ram波长。芯片 1上 的最佳探 CMOS焦平面阵列和 以 650GHz 测器响应率为 10V／W ，NEP为 产生的THz图像。 1．2nW ／Hz0。。。。 2010年，法国CEALeti公司 他们还用芯片 2获得 了 FranzSchuster等人联合其他研 1．05THz返波管 电子束 的光栅 究机构的一些人员研发 出了采 扫 描 图像 。该 图像 有 120x90 用 130nm低成本 CMOS晶体管 个 点，每个 点 的获取 时间为 的THz成像技术，并在 300GHz 60ms。在 电子束中心测得的非放 和超过 1THz极 限的频率处成