化学浴法Cu2S纳米晶薄膜的制备及其光学特性研究.pdfVIP

助 能 材 料 S纳米晶薄膜的制备及其光学特性研究。 化学浴法Cu2 卢永娟1一，梁 山1”，陈 淼1，贾均红1 (1．中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室，甘肃兰州730000， 2．中国科学院研究生院，北京100039) 摘 要： 利用化学浴沉积法，以EDTA为络合剂，羟基化：先分别放入丙酮、乙醇、二次水中各超声清洗 CuSO‘·5H20和Na2s203为前驱体溶液制备了硫化 亚铜纳米薄膜，用FESEM、XRD、光学显微镜研究了 前驱体浓度、络合剂的浓度、溶液的pH值、反应温度 2h，然后用去离子水淋洗，氮气吹千，待用。 等因素对硫化亚铜纳米薄膜的表面形貌、晶粒大小与 2．2 Cu2S薄膜的制备 晶体结构的影响。结果表明，在最佳的生长条件下可 将经表面羟基化处理的干燥的单晶硅片浸入 3一氨丙基三乙氧基硅烷(APS)的正己烷溶 以刺备晶粒匀一、结构致密的硫化亚铜纳米薄膜，紫外 5mmol／L 可见吸收光谱表明硫化亚铜薄膜具有一定的透光性， 液，室温下组装3h，取出后依次用正己烷、二次水清 并对红外光有很好屏蔽的作用。 洗，并用氮气吹干，待用。 关键词： CuS04·5H20，0．2799EDTA溶解在 纳米薄膜；硫化亚铜；化学浴沉积法；紫外吸 将0．1259 收 中图分类号：061；TB34 文献标识码：A 文章编号：1001-9731(2008)II-1894-03混合均匀后，待化学浴沉积使用。将组装有APS- SAMs的基片放入该溶液中在一定温度下沉积两次， 1 引 言 每次1h。将基片取出后，二次水冲洗，然后超声清洗 硫化物薄膜因在太阳能电池[1]、太阳能光热转化 lOmin，用氮气吹干，最后对沉积薄膜在氮气保护下 (如太阳能吸收层)【2】、建筑物玻璃窗的辐射选择过滤 300℃烧结处理2h。 层【钉、有机高分子材料的电导薄膜【钉等方面的潜在应 2．3样品的表征 用，近年来，受到材料科学家的广泛关注。在一般的室 温条件下，Cu=S薄膜通常有4种形式的存在，即富铜 相Cu2S、Cul-．5S、Cul．”S和富硫相CuS[51。Cu。S薄膜形貌和晶粒粒径分析。采用RigaKa 作为一种重要的光电半导体材料，其光电性能又与铜 硫的计量比有很大关系[6]．目前国内外有许多CuzS相组成分析。CuzS纳米薄膜的光学特性采用德国Je- naSpect50型紫外可见光谱仪进行分析。 薄膜制备的报道，如真空反应蒸发法[7]、溅射法[8]以及 化学浴沉积[I一]等。但关于单相硫化亚铜半导体薄膜 3结果与讨论 的制备及性能研究还鲜有报道。本文利用自组装技 术，先在单晶硅片表面形成自组装层，然后再用化学 3．1 Cu。S薄膜沉积的影响因素 浴沉积法沉积硫化亚铜纳米颗粒，制备具有均一结构 在实验中我们研究了实验条件，如前驱体浓度、络 的硫化亚铜纳米薄膜，探讨了具有均一结构和组成的 合剂的浓度、溶液的pH、反应温度等对硫化亚铜纳米 硫化亚铜纳米薄膜最佳生长条件，利用冷场发射扫描 晶薄膜形貌的影响，研究发现，这些条件对硫化亚铜纳 米晶薄膜的生成都有很大影响，并且这些因素综合地 电镜(FESEM)、X射线光电子衍射仪(XRD)、光学显 微镜进行了薄膜形貌和结构表征。并利用UV-Vi