Ag掺杂P型ZnO薄膜和其光电性能研究.pdfVIP

第57卷第8期2008年8月 物 理学 报 1000．3290／2008／57(08)／5212-05ACTAPHYSICASINICA @2008Chin．Phys．Soc． Ag掺杂P型ZnO薄膜及其光电性能研究* 王经纬 边继明’ 孙景昌 梁红伟 赵涧泽 杜国同 (大连理工大学物理与光电工程学院，三束材料改性国家重点实验室，大连 116024) (2007年12月14日收到；2008年2月27日收到修改稿) 采用超声喷雾热分解法在石英衬底上以醋酸锌水溶液为前驱体，以硝酸银水溶液为Ag掺杂源生长了Ag掺杂 膜结构良好，在室温光致发光谱中检测到很强的近带边紫外发光峰，透射光谱中观测到非常陡峭的紫外吸收截止 边和较高的可见光区透过率。表明薄膜具有较高的晶体质量与较好的光学特性．霍尔效应测试表明，在500oC下获 x10”em一，迁移率为6．61cm2·V～s～． 得了P型导电的ZnO：Ag薄膜，载流子浓度为5．30 关键词：ZnO：Ag薄膜，P型掺杂，超声喷雾热分解，霍尔效应 PACC：7280E，7360F，7360J 半径相近，容易取代O位而形成浅受主，但是由于N 1．引 言 在ZnO中的固溶度很低，并且N受主掺杂的离化率 较低，目前国际上只有极少数的N掺杂P型ZnO及 氧化锌是一种Ⅱ一Ⅵ族直接带隙宽禁带化合物 其同质p-n结注入发光的报道，发光性能尚不理想， 半导体材料，室温下的禁带宽度为3．37eV，激子结 在有效N源物质的选择问题上还存在许多争 合能高达60meV，具有优异的光学和电学特性，具 议拉_5J．最近，尽管也有许多报道采用其他的V族元 备了发射蓝光或近紫外光的优越条件，有望开发出 紫外、蓝光、绿光、红光等多种发光器件，这些器件将 出发光二极管(LED)，但是发光多以深能级发光为 被广泛用于光通信网络、光电显示、光电储存、光电转 主且电注入发光效率较低，特别是对应的受主掺杂 化和光电探测等领域．为开发实用的ZnO基发光器 机理还无法形成共识№’7’．IA族元素(如Ij，Na等) 件，首先必须生长出发光器件的核心结构——ZnO 取代zn位形成受主杂质是另外一种实现P型掺杂 基p-n结．然而，氧化锌为本征n型半导体，存在诸ZnO的选择，因为理论计算它们在取代Zn后形成的 多本征施主缺陷(如氧空位％和间隙Zn等)，都是很浅的受主能级，但是费米能级的下降会更加 对受主掺杂产生高度自补偿作用，加之受主杂质有 有利于“，Na等间隙施主能级的形成．对于K等掺 限的固溶度或较深的受主能级…，使得ZnO薄膜的 杂源，氧空位施主能级又将阻碍其掺杂的样品向P P型掺杂非常困难，导致无法制得氧化锌P．n结结 型转化；因此IA族元素的掺杂也许只能得到高阻 构，极大地限制了ZnO基光电器件的开发应用．制 一性原理电子结构计算得出，在富氧生长条件下 备高质量的P型ZnO薄膜已成为限制ZnO基光电 器件实用化的瓶颈问题．ZnO的P型掺杂是一项重 IB族元素取代Zn位形成受主杂质的缺陷形成能 要的基础研究工作，目前理论分析结果较多，缺乏造 非常低，而进入间隙的缺陷形成能却非常高，因而 成P型掺杂困难机理的实验结果和研究．为实现 IB族元素在ZnO薄膜中更容易取代Zn位而不是 ZnO薄膜的P型导电，必须对其进行受主掺杂．比较形成间隙原子．而且这种条件会有效抑制对空穴载 常用的掺杂剂是采用N元素，因为N原子与O原子 流子形成补偿的诸多本征施主缺陷(如氧空位y。 准号资助的课题． t通讯联系人．E-mail：jmbiaa@dlut．edu．∞ 万方数据 8期 王经纬等：Ag掺杂P型ZnO薄膜及其光电性能研究 和间隙Zn)的形成．理论计算和分析还表明Ag在薄膜生长室，在加热的衬底表面发