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【技术研发】 I一 VALLEJL 磁存储技术的研究 侯 毅 (沈阳广播电视大学 辽宁 沈阳 110003) 摘 要:21世纪是信息的世界 ,人们掌握信息量的需求越来越高。在信息存储技术中,磁存储仍然是最重要的存储技术之一。为提高磁 信息存储量,就必须不断减小用于记录信息的磁性颗粒的尺寸。但当尺寸减小到一定程度时,超顺磁效应就会影响到记录的磁信息的稳定 性。所以研制新型高密度磁记录技术必须要注意介质的退磁场和稳定性的影响。 目前商用硬盘的磁记录技术基本都采用垂直记录技术,一般 可以获得超过200Gb/inH5录密度。介绍新近发展起来的热辅助磁记录技术和图案化介质技术原理与优势。 关键词:磁存储;垂直磁记录;反铁磁耦合介质;热辅助磁记录;图案化介质 中图分类号:TQ597 文献标识码:A 文章编号 :1671—7597(2012)o510095—02 有人认为21世纪信息领域的中心问题就是存储。只有信息 磁头,包括磁性 自旋阀 (MagnetiCSpinValve)与磁性隧道结 存储容量的不断增大,才能满足信息社会高速发展 的需要 。现 (MagnetiCTunne1Junction)结构 。磁性 自旋 阀结构为三 明 在世界各国,特别是发达 国家对磁存储技术 的发展极其重视 。 治式,即在两令低矫顽力磁性层中间夹一个非磁性材料层。其中 要提高磁信息存储容量,就必须不断减小用于记录信息的磁性 一 个磁性层被另外一层反铁磁层 (FeMn等)所 固定,称为固定 颗粒 的尺寸,但 当尺寸减小到一定程度时,超顺磁效应就会影 层,另一磁性层为 自由层。磁性隧道结结构与磁性 自旋阀相似 , 响到记录的磁信息的稳定性,所以必须开发新型高密度磁记录 差别为有一层超薄的 “绝缘 ”非磁性材料 (AI203等)分割磁性 技术 。本文简要介绍近年来硬磁盘技术 的主要进展 。 自由层和 固定层,如图2所示 [2]。 1信息的记录与读出过程 图3为巨磁 电阻磁头示意图[3]。在现在的各种高性能硬磁 1.1记录过程 盘驱动器 中,多 以电流方 向在平面 内的cIP(Current—In— 在硬磁盘中写入信息,采用 的是感应式薄膜磁头,即用 的 P1ane)型磁头为主,尤其是采用纳米氧化层 的CIP—GMR薄膜 , 是高磁感应强度 的薄膜材料加平板印刷工艺,磁头结构如图l所 面记录密度可达200Gb/in2。进一步研制 电流垂直于平面 的巨磁 示 [1]。磁头缝隙gd,于0.1um,切 向记录长度小于0.076um。磁 电阻薄膜CPP—GMR。 头宽度w较大,道间距也较大,道密度和位密度有很大差别, 目 隧道 型磁 电阻磁头TMR有望成为下一代高密度读 出元件 的 的是为 了使磁头场具有较大的均匀区,减小介质不均匀磁化带 一 种磁头 [4]。2007年9月,美 国Seagate公司采用隧道结磁头 来的噪声。目前硬盘记录中的位间距 已经很小,要进一步增大 的第四代DB35系列产品,硬盘容量 已达1TB。 记录密度 ,必须采用先进制造技术 ,提高材料性能。还可 以提 高记录介质的各向异性常数,就能提高介质的矫顽力,改善高 密度记录时的热稳定性 SpinValueHead SV-GMR 图3 磁 电阻式读 出头的微结构示意 图 Fig.3 Microstructure0fGMA reader 图1 感应式记录磁头的结构示意图 (为环形

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