磁控溅射沉积参数对硼碳氮薄膜沉积速率的影响.pdfVIP

第 34卷 　第 7期 Vo l34 No7 2009年 7月 HEA T TR EA TM EN T OF M ETAL S Ju ly 2009 磁控溅射沉积参数对硼碳氮薄膜沉积速率的影响 1, 2 2 2 2 徐淑艳 ,马欣新 ,唐光泽 ,孙明仁 ( 1东北林业大学 森林持续经营与环境微生物工程黑龙江省重点实验室 ,黑龙江 哈尔滨 　150040; 2 哈尔滨工业大学 材料科学与工程学院 ,黑龙江 哈尔滨 　15000 1) ( ) 摘要 :利用直流磁控溅射技术制备了三元硼碳氮 B CN 薄膜 ,通过改变靶功率 、基体偏压 、沉积温度和励磁线圈电流 ,在相同沉积 时间内得到不同厚度的薄膜 。采用纳米压入仪分析了沉积参数改变对 B CN 薄膜沉积速率的影响规律 。结果表明 ,在低靶功率和 高励磁电流的条件下沉积的薄膜 ,随着靶功率和励磁电流的增加薄膜沉积速率呈线性增长 ;薄膜的沉积速率随基体偏压的增加呈 抛物线状下降;薄膜的沉积速率受基体是否升温影响很大 ,而受基体所加温度大小影响较小 。 ( ) 关键词 :硼碳氮 B CN 薄膜 ;工艺参数 ;沉积速率 中图分类号 : TG15699 　　文献标识码 :A 　　文章编号 2009) Effects of deposition param eters on deposition ra te of BC N f ilm prepared by m agnetron sputter ing 1, 2 2 2 2 XU Shuyan ,MA X inxin , TAN G Guangze , SUN M ingren ( 1Key L aboratory of Fore st Su stainab le M anagem ent and Environm en tal M icroorgan ism Engineering of H eilongj iang Province,Northea st Fore stry U n iversity, H arb in H eilongj iang 150040 , Ch ina; 2 Schoo l of M aterials Science and Engineering, H arb in In stitute of Techno logy, H arb in H eilongj iang 15000 1, Ch ina) ( ) Ab stract:Boroncarbonn itrogen B CN ternary film s were depo sited by DC m agnetron sputteringThe film s w ith variou s thicknesses were obtained w ith in the sam e depo sition tim e by varying p rocess p aram eters, such as target power, b ias