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sol-gel法制备的ZnO:(Al,La)透明导电膜光电性能.pdf
维普资讯
第27卷 第 7期 电 子 元 件 与 材 料 Vb1.27NO.7
2008年7月 ELECTRoNIC CoMPoNENTS AND MATEIUALS Ju1.2008
sol—gel法制备的ZnO:(Al,La)透明导电膜光电性能
曾凡强,战可涛
(北京化工大学 理学院,北京 100029)
摘要:通过x射线衍射、紫外一可见分光光度计、扫描电镜和四探针仪分析等手段,考察了退火温度对ZnO:(AI,
La)薄膜微观结构、光学和电学性能的影响,A1掺杂浓度对 电阻率的影响。结果表明:随退火温度的升高,薄膜 (002)
晶面择优取向生长增强,平均晶粒尺寸增大,电阻率降低,透光率上升。在x(A1)为 1%,退火温度550℃时,薄膜最
低 电阻率为 1.78x10 Q ·cm,平均透光率超过 85%。
关键词:无机非金属材料;ZnO:(AI,La)薄膜:sol—ge1法;光电性能
中图分类号:TQ132.41 文献标识码:A 文章编号:1001—2028(2008)07—0047—03
PhotoelectricpropertiesofZnO:(Al,La)transparantconductivethinfilm
preparedbysol-gelmethod
一 一 一 一
ZENG Fan-qiang,ZHAN Ke-tao
(SchoolofScience,BeUingUniversityofChemicalTecnology,Bering 100029,China)
Abstract:Theeffectsoftheannealing temperatureand doped—AIconcentration onthe microstructure,photoelectric
propertiesand resistivity ofthin filmswere investigatedby aX—ray diffractometer、a field—emission scanning electron
microscope、auv—visspectrophotometerand afour-pointprobeinstrument.Theresultsshow thatwith increasingofthe
annealingtemperature,thefilmsgrowmorepreferentiallyalongthe(002)plane,theaveragegrainsizeincreases,theresistivity
decreasesandtheoptical~ansmittanceincreases.Thefilm ofwhichtheaverageopticaltransmittanceismorethan85% and
theresistivitvis1.78x10一Q ·cmisobtainedunderthe (A1)of1%andtheannealingtemperatureof550 ℃.
Keywords:non·metallicinorganicmaterial;ZnO:(Al,La)thinfilm;sol—gelmethod;photoelectricproperties
铝掺杂氧化锌(AZO)透明导 电膜的制备方法主要 2
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