忆阻器混沌电路的仿真.pdfVIP

第35卷第2期 电气电子教学学报 V01．35No．2 2013年4月 OFEEE JOURNAL Apr．2013 忆阻器混沌电路的仿真 张宇琪1，孙立山2 (哈尔滨工业大学1．控制科学与工程系，2．电气工程系，黑龙江哈尔滨150001) 摘要：本文介绍了HP忆阻器的基本概念及数学模型，该模型可以较好地表示HP忆阻器的非线性掺杂漂移性质，将忆阻器用于蔡氏电路，可以 得到基于忆阻器的混沌电路。笔者使用Manab进行系统级仿真，并简要地进行了动力学分析。建立了忆阻器的Orcad模型，对其进行了仿真 实验，其结果与HP实验室相同。我们用0rcad进行器件级仿真，为实际的混沌电路提供基础。该数值仿真和电路仿真结果一致，表明该混沌 电路是可行的。 关键词：忆阻器；混沌电路；仿真；阻抗变换 中图分类号：0415．5 文献标识码：A TheSimlllatio璐ofChaoticCircllitBased伽Memristor ZlIANG Li-shan Yu·qi，SUN (舶r6讥船t缸眦矿‰^加妇y，胁r6讯150001，吼iM) basic mathematicalmodelofHPmemristora弛intmduced．Themodelcan Abstract：Theconcept肌d showthe non—lineardriftfeatureofHPmemristor．AmemristorbaSedchaoticcircuitisderivedf而mChua童circuit． dopant Matlabisusedtoconductsimulationandalsosomebrief Orcadmodelof system dynamicsanalvsis．An memristoris anditsresultsinOrcadarethesameasHPlabs．DevicelevelsimulationisconductedwithOrcadto presented pm． videfoundationfortllereal f而m chaoticcircuit．Theresultsnumedcalsimulationsandcircuitsimulationsareiden— ticalwitlleachot}ler．whichmeanstllecircuitisfeasible． transfomation KeywDrds：memristor；chaoticcircuit；simulation；impedance 1971年，华裔科学家蔡少棠提出了忆阻器的概据HP实验室提供的实物测试数据及相关理论，以 念…。2008年HP公司发现了一种用Ti02掺杂后 及文献[4]给出的改进数学模型，将HP忆阻器应用 得到的纳米级电子元件，而这种元件的性质恰好符 于蔡氏电路，得到了基于忆阻器的混沌电路。我们 合忆阻器的定义，于是制成了这种忆阻器旧J。 HP忆阻器发现后不久，美籍学者Itoh和蔡少到了不同于以往的混沌图形。 棠提出了一系列忆阻器电路用来替换蔡氏二极管， 1 HP忆阻器概