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低相位噪声X／Ku波段推一推DRO 卢文祥杨牛林 信息产业部电子第五十五研究所 (南京市中山东路524号．210016) 擅薹。这篇论文介绍了X／Ku波段低相位噪声推一推介质谐振器振藩嚣的原理、结构、性艟、设计和 初步试验结果．该部件采用硅双极晶体管产生振荡，输出二次谐波功率≥3dBm，相位嗓声优于一100dBc ／Hz／10KHz． 关键词：低相嚷莲三垂在亭振荡器，高可欺 DRO PUSH-PUSH X／Ku-BAND PnAS宣N01SE LOW X，Ku．Band low noise the and of Abstraet：This design theory,architecture,featuresphase reports paper is ofsilicon results consist ttsnsistors,the Push-Push main experience DRO。thegolrtpolzents bipolar fringe given words：low noise，Push-Pushreliability Key phase DRO，high 引言 微波固态源设计过程中，当有源振荡器件工作频率达不到所需要的频段时，推一推 振荡电路是一种较好的选择；訾推一推振荡器结构应用到DRO设计时，在显著降低振 荡嚣相位噪声、有效改善振荡器的频率温度稳定性的同时，也把现有有源振荡器件的性 能扩展到更高的频段，有着广泛的应用价值。 2．原理和缎成 本文介绍的低相位噪声x／Ku波段推一推DRO的电原理周如图1．二个电性能和 外形完全相同的有源振荡组件用功率合成电路组合成一个推一推排列的DRO． 单一有源振荡器为串联反馈型电路，硅双极晶体管为振荡器件，振蒋功率从集电极 (c)输出。电路中，晶体管基极Co)Jl过一段50Q微带传输线接匹配负载．DR在离b 极一定距离(相位长度efb)与微带线耦合(耦合系数虬)，c极接一开路微带线，形成 一个射极串联反馈阻抗(Ze，oe)，调节Ze，8 e使S11’的幅值最大，并调节ob、Bb， 满足振荡条件： ·377· j一 T 一r- 一．： r ．上 ! 一 j o T j } 一=-—厂—l。 一圭二二二=二型I=”一f r。…■、i』1[—)』 B、、