Y掺杂BST薄膜介电性能的研究.pdfVIP

第38卷 增刊2 稀有金属材料与工程 V01．38，Suppl．2 2009笠 RARE 12月 METALMATERIALSANDENGINEERING December2009 Y掺杂BST薄膜介电性能研究 潘笑风，廖家轩，王洪全，张佳，傅向军，魏雄邦 (电子科技大学，四川成都610054) 摘 面结构和介电性能的影响。XPS结果表明，Y掺杂有利于薄膜钙钛矿结构的形成，但对氧空位没有明显的抑制作用。 SEM和AFM结果表明，Y掺杂能缓解薄膜应力、减少薄膜裂纹、细化晶粒，进而改善薄膜的表面结构。在进行Y掺 杂后，薄膜的介电性能得到明显提高，40V外加电压下的介电调谐率大于40％及零偏压下介电损耗为O．0210，优化因 子大于20。 关键词：掺杂；钛酸锶钡薄膜；钇；溶胶一凝胶法；介电性能 中图法分类号：TN38 文献标识码：A 文章编号：1002．185X(2009)$2．0621-03 钛酸锶钡(BST)薄膜具有优良的微波介电调谐性驱液混合并加热搅拌，接着按一定比例加入Y前驱液， 能，被广泛应用于制备动态随机存储器、热释电探测 再适量加入能够极大改善薄膜应力和细化晶粒的聚乙 器、微波可调器件、相阵天线、场致发光显示器等， 0l，最后加入乙二醇甲醚充分搅拌 烯毗咯烷酮(PVP)u 具有良好的发展前途。BST薄膜的制备方法通常有磁 2～3h并滴定定容，得到一定浓度的橙黄色透明溶胶。 控溅射、脉冲激光沉积、化学气相沉积和溶胶．凝胶法 采用旋涂法以6000r／min匀胶30 min后，随即经200～360 等。与其他常用制膜方法相比，溶胶一凝胶法(S01．Gel)衬底上成湿膜，以150℃干燥5 具有合成温度低、过程易控制、薄膜均匀度高、化学 ℃脱胶10min除去薄膜中大部分的水和有机物，再经 360～550℃烘焙10 计量比准确且易调整、易于掺杂改性等优点。但该方 min初步形成仔晶层，冷却后重复以 法制备的薄膜在热处理过程中易产生应力、缩孔和裂 上工艺多次得到一定厚度的纯BST和掺杂1％(摩尔分 纹，导致其致密性和介电性能较差。如何改善薄膜的 数，％下同)浓度Y的BST薄膜，最后在700℃下进行退 致密性，缓解薄膜应力，减少薄膜裂纹¨，2J，改进S01．Gel火并保温1h得到结晶良好的薄膜。 法【3】是常采用的一种方法。同时，由于S01．Gel法具有 在经过热处理后的BST薄膜上用掩模直流溅射 易掺杂的特点，掺杂各种特殊元素也是目前研究的热 仪溅射直径为1mm的Au圆电极，用x射线光电子 点[4，5】。稀土元素钇(Y)是制备钛酸钡陶瓷常用的掺杂 能谱(XPS)分析薄膜的表面成分和化学态，用扫描电子 改性元素，被认为是一种魔力掺杂剂，能有效地降低 阻抗和漏电流[6，7】。鉴于目前有关Y掺杂BST薄膜的晶粒形貌，用高精度阻抗分析仪测量BST薄膜的C—V V。 报道很少【89】，本研究采用改进的溶胶凝胶法制备了 特性，测试信号为0．1 BST薄膜和Y掺杂BST薄膜，通过对比分析，以期 2结果与讨论 获得综合介电性能较为优异的Y掺杂BST薄膜。 图1为BST薄膜的SEM表面形貌。由图1a可知， 1 实 验