Zr-掺杂NiO陶瓷中的势垒电容器效应.pdfVIP

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2015-09-14 发布于安徽
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Zr-掺杂NiO陶瓷中的势垒电容器效应.pdf

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第30卷增1 压电与声光 Suppl-No．1 Ju儿2008 2008年6月 PIEZOELECTECTRICSACOUSTOOPTlCS 文章编号：1004·2474(2008)S1—0082—03 Zr．掺杂NiO陶瓷中的势垒电容器效应陈恺1，王晓雄1，王茂香1，郑改革1，李相银1，朱劲松2 (1．南京理工大学理学院。江苏南京210094I2．南京大学固体微结构实验宣．江苏南京210093) 的陶瓷样品．随着Zr掺杂量的提高．晶粒尺寸变小．室温的相对介电值降低。Zro．，Ni0．。O陶瓷的相对介电值-在 210 K以下．不随温度和测量频率变化；另外．其介电损耗值在 K和测量频率为10kHz时．达到10‘。并且在350 210～350 K温度小于0．5。Zro．1 型．陶瓷中有半导(导电)的晶粒和绝缘的晶界．该材料体电导和晶界电导随温度的变化遵循Arrhenius关系·相应的激活能为0．15eV和0．19eV．因此．势垒电容器效应是Zro．INio．‘O具有高介电性能的主要原因。Zro．。Nio．tO 的介电特性具有相似的特征．只是相对介电系数值略低．而且相对介电值对晶粒尺寸的依赖关系也符合势垒电容器效应的规律．关键词：ZbNil--220陶瓷，固相反应法；微结构f高介电．势垒电容器效应中图分类号：TN384 文献标识码：A Ceramics Barrier Effectsin NiO LayerCapacitanceZr-doped CHENKail．WANG Jin-son92 Xiao-xlon91，WANGMao-xlan91，ZhenGai—gel，LIXiang-yin91，ZHU ofScienceand 210094·Chinas (1．Dept．ofPhysics．NamingUniversity Technology，Nanjing Lab．ofSolidState 210093·China) 2．Nation Microstrueturea，De畴ofPhysics。NanjingUniversity·Naming solid method．The were conventionalstatereaction AbstractlZr，Ni卜t．O(x0．1～0．2)ceramicspreparedby Electron effectoftheZrcontentonthemicrostructureanddielectric werestudied．ScanningMicrocopy properties thelowervalueof atther