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- 2015-10-01 发布于安徽
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童一{.毒喾硝壬学位谵史 觜筘碱二磕辞系剜他台铹的台琏疑藏理论计算辚究
摘 要
紫罗藏二藏簿(v2÷象矧分严阂为联#毙啶基弱孛毫域电子霸l分子弱端麴裴戆辑繁寒的化学8}电{芝学
活性,被频繁地}H米充当分f导线,最近在科学界引起了广泛的关注平If研究。所以,如何快捷、高娥地
台戏v“,以爰怼V“系铡罄毋f导电规髓豹研究,_罄是楚嚣裳燕要蠢鸯意义黝深题,遮褥急V2+系列分
子器件的开发和麻M奠定实验平¨璎论基础。
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进行了结构发征。
有机台成的实践表明.溶刺、反麻濡度、反廊物量fl勺比例毗及后处理方法对产物的纯度和I产率都有
羲缀夫靛影嫡。孬袭.瑗链越短,V“静慧一步藉薅二步念成瘊辩戆条份越萤劐,产率畦墨越蕺,曼赛易发
生炭化现象。
目前,v2+系列单分f导电性能的实验技术和理论研究均处于探索阶段。本论文运Ⅲ精f他学理论计
V2+中两个毗啶环所在平面的夹角、V2+中S原子的电荷集居,进行了初步的理论计算研究,并i寸论了电子
结构等因素与v“系列单分子电导Z间的关系。
量子化学理论计算纬聚表明:
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