第四种无源电子元件忆阻器的研究及应用进展.pdfVIP

第29卷第4期 电 子 元 件 与 材 料 、，01．29No．4 2010年4月 ELECTRONICCOMPONENTSANDⅣ“L1lERIALS Apr．2010 第四种无源电子元件忆阻器的研究及应用进展 蔡坤鹏，王睿，周济 清华大擘新型陶瓷材料与精细工艺国家重点实验室，北京100084 摘要：忆阻器是一类具有电阻记忆行为的非线性电路元件，被认为是除电阻、电容、电感外的第四个基本电路 元件．综述了忆阻器和忆阻系统概念的产生与发展过程，实现忆阻功能的几种模型与机理，如边界迁移、自旋阻塞、 绝缘体硷属转变，丝导电、氧化还原反应等．阐述了忆阻器和忆阻系统在模型分析、生物记忆行为仿真、基础电 路和器件设计方面的应用前景． 关键词：忆阻器；忆阻系统；综述；忆阻机理；应用 doi：10．39690．issn．100l一2028．2010．04．021 中图分类号：TM50 文献标识码：A 文章编号：100l-2028 2010 04．0078．05 Research onmemristorandits asthefourth progress applications passivecomponent CAI Ji Rui，ZHOU Kunpeng，WANG ofNewCeramicandFine StateKeyLaboratory Processin舀TsinghuaUniversity,Beijing100084，China isa behaveslikeanonlinearresistorwith isdemonstratedasthe Abstract：Memristorcircuitelement,which memory,and fourthfundamentalcircuitelementinadditionto andinductor．1rI圮definitionsand ofmemristor resistor,capacitor development andmemristive severalmodelsandmechanismsuchas drift，spinblockade，insulator-metaltransition, systems,with boundary filamentconductionandredox ofmemristorandmemristiveonmodel reaction,arereviewed．11碡applications systems anddevicesarealso ofbionic ofbasiccircuit introduced／ analysis,simulationmemorizingbehavior,design words：memristor；memristive Key system；review；memristivemechanism；applications 忆阻器 Memristor 的概念I主IChua[1】在1971年提 出，得名于其电阻对所通过电量的依赖性，被认为是 电阻、电容和电感之外的第四种基本电路元件。对电 的联系。上述四个电路变量两两之间可以建立六个 阻的时间记忆特性使其在模型分析、基础电路设计、 数学关系式，其中五对关系式已经为大家所熟知一 电路器件设计和对生物记忆行为的仿真等众多领域 一分别来自R、C、厶Q的定义和法拉第电磁感应 具有广阔的应用前景。由于缺乏实验的支撑，在被提 定律 如图l所示 ，但痧、Q间的关系却一直没被 出后的二十几年间，相关理论虽有发展却并设有引起 足够的关注。近来Strukov等[2-3】成功制作了具有忆阻 性能的器件结构后，忆阻器开始引起更多学者的研 究兴趣，并可望成为电子学、材料科学等领域研究 的新热点。 1 概念的产生与发展 。 l·1忆咛琶．．．．…．．．．．．F嘻l 由电路理论可知，三个传统的二端口电路元件 收稿日期：2009-12-24通讯作者：周济 万方数据 第29卷第4期 蔡坤鹏等：第四种无源电子元件忆阻器的研究及应用进展 79 揭示。Chua[11从电路变量关系完整性角度，定义了增号“f 也将为0，这种经过坐标原点的图形，在系统 量忆阻心功来描述毋、Q间的这一关系： 输入、输出信号间的李萨茹图形关系中得到自证 如 图2所示 。此外，图2还给出了忆阻系统W曲线 般9 d咖 9／dQ 1 对不同外加激励频率的响应结果。 满足公式 1 所定义关系的电路元件被称为忆 当输入、输出信号分别为系统的电流和电压时， 阻器。 由 3 式可得到／-V控制的单端口忆阻系统： 同时，由d西 gdt，dQ ／ It可得： 戈 f x，，