MgB-%2c2-超导薄膜制备的新方法及其超导薄膜应用的分析.pdf

圣圩住太爹博士学谨铪友 摘要 本论文介绍了MgB2的重要超导特性和和提供了研制MgB2超导薄膜的有价 值的新方法。 (最近发现二元金属化合物MgB2超导体超导转变温度高达39K的，必然引起 人们对超导领域的极大关注。激起了对相关硼化物超导电性的研究热潮。MgB2 有转变温度高、晶体结构简单，相干长度大，电流密度高的优点，说明他它是制 造电子设备的优良材料。论文研究了MgB2的各种超导特性，电子结构研究表明， 过渡区金属硼化物电子与声子耦合弱，但实验表现出很高的转变温度。为了解释 MgB2异常的超导特性，将MgB2与电子结构相似的化合物进行了对比研究，特 别是建立了一种制作超导薄膜的实用新技术。从弹性特征中得出的德拜温度和高 转变温度Tc可以通过BCS机制解释。研究证实在布里渊区域r—．A方向的费 米能级附近存在两度简并的准二维分布的关键能带，具有等量的Px，PY电子特 征，或许这是Me,B2超导电性的重要起因。／o 本论文创建了一种新的制作MgB2超导薄膜实用技术，化学气相沉积两步法 异位退火法合成MgB2超导薄膜，采用这种新方法制备MgBz超导薄膜的基本过 程为：先以B2H6为B源在衬底上化学气相沉积先驱B薄膜；然后先驱B薄膜在 Mg蒸气中高温退火形成MgB2超导薄膜。这种新方法成功地在A1203多晶和单 晶衬底上制备了MgB2超导薄膜。在多晶A1203衬底上制备的典型MgB2超导薄 膜，起始转变温度Tcon～35l(，零电阻温度Teo～24K。在优化条件下制备在单晶 A1203衬底上的MgB2超导薄膜，起始转变温度和零电阻温度分别为Teon～39K和 Tco～37K，残余电阻比率甜汛～1．8，正常态电阻呈现金属行为；根据扫描电子显 微镜观察和x射线衍射分析，薄膜表面光滑平整，晶形完整；晶粒取向垂直于衬底 表面沿C轴方向排列。 ／MgB2超导体化学组份少，晶体结构简单，各向异性小，相干长度大，是一种非常 有前途的制各超导电子器件的材料。电子器件应用需要制备高质量外延薄膜。对 于生长高质量MgB2超导外延薄膜，选择具有良好晶格匹配关系的衬底非常重 要，SIC(001)和Si(111)是比较理想的衬底。J，7 化学气相沉积两步异位退火制备MgB2超导薄膜这种新方法的特点是，容易 制备大面积MgB2超导薄膜，并且化学气相沉积方法与现有的半导体工艺技术相 兼容，有利用实现MgB2超导薄膜在电子器件领域的应用。 Vl 街住大爹博士擘谨论支 Abstract This illustratesthemain slate of diboride propertiesmagnesium paper superconducting andavaluablemethodforfabrication film． superconducting MgB2 ofMgB2 Therecent of at39Kin discovery binarycompound superconductivity MgB2certainly a revivedtheinterestinthefield initiatedsearchfor in ofsuperconductivity，and relatedboron k coherence compounds．Its