bivo4复合光催化剂的制备与表征.pdfVIP

lMIIIllFIIIIllltllllllllllHIIIIIIIII BiV04基复合光催化剂的制备与表征 摘要 BiV04是一种新型半导体光催化材料，因其在光能转化、污染物处理方 面具有潜在应用价值而成为研究热点；如何降低BiV04光生电子一空穴的复 合几率、提高BiV04的可见光活性是人们现阶段重点关注的问题。本文选用 进行BiV04的改性研究；BiV04基复合光催化剂主要通过水热法制备。催化 实验结果表明：与纯相BiV04相比，复合物的光催化活性均得到不同程度的 提升。最后，对活性优化的机理进行了探讨。具体内容如下： 1、通过EDTA(模板剂)辅助水热法制备了RGO／BiV04复合光催化剂， 明：GO在水热过程中还原为RGO；RGO的掺杂量不同，BiV04的活性改善 程度不同；当RGO质量分数为l 5％时，催化剂活性最优。RGO的复合增强 了BiV04的吸附性能、可见光吸收强度和响应范围，抑制了载流子的复合。 SEM、EDS、DRS、PL等方法分析了其形貌及组成、可见光吸收及电子迁移特性。 结果表明二者的复合可以使光降解性能得到改善，这主要源于禁带宽度的减 小，吸附能力和可见光吸收强度的增大，光生电子一空穴对复合几率的降低。 明Co的复合可以减小BiV04的禁带宽度，增强光吸收强度；PL图谱表明 Co的掺杂可以降低复合物的光生e／h+复合几率，提高光催化性能。 4、以NHnF为N源和F源、利用EDTA辅助水热过程合成了N、F共掺杂 催化活性均有所提升但提升幅度不大。N．F／BiV04复合光催化剂活性的提高在一 定程度上得益于BiV04表面酸碱性的改变、O空位数量的增加和禁带宽度的减小。 然而N．F共掺杂不能有效抑制光生载流子的复合，使得实际催化效果改善不明显。 关键词：BiV04复合光催化剂可见光催化亚甲基蓝 万方数据 PREPARATIoNAND CHARACTERIZATIONOF BiV04一BASED COMPOSITESPHOTOCATALYSTS ABSTRACT novelsemiconductor attracted BiV04(Bismuth vanadate)，a photocatalyst，has muchattentiondueto its inthefieldsofsolar promisingapplication energy and of transformation contaminantundervisible photodegradation light．However，the to of BiVodis lowdueits recombination photocamlyticactivitypure relatively high ratesof electron-hole workshavebeendonein