tin、nn的力学性质及tin表面吸附co稳定性的第一性原理模拟与计算.pdfVIP

tin、nn的力学性质及tin表面吸附co稳定性的第一性原理模拟与计算.pdf

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
tin、nn的力学性质及tin表面吸附co稳定性的第一性原理模拟与计算

F irst-p rin cip les sim u lation an d calcu lation of m ech an ica l p rop erties of T iN N b N , an d stru ctu re stab ility of C O ad sorb ed o n T iN su r fa c e B y X u e F en gy in g A D issertatio n P resented to A cadem ic D egree C om m ittee to T ianjin N orm al U n iv ersity In C an didacy for T h e D egree of M aster of S cience Sup erv isor :P rof. L i D ejun C o llege of Physics an d E lectron ic In form ation Scien ce T ianjin N orm al U n iversity M arch 2 0 12 中 文 摘 要 摘 要 近年来,基于密度泛 函理论的第一I生原理(First-principles)计算方法得到了很 大 的发展 。大量 的计算程序 被广 泛应用 于凝 聚态物 理 、材料物 理 、计算机 科学 、 地质等 多个领域 ,使得第 一性 原理成 为 了科学研 究 中的一个 重要手段 。 过 渡金属氮 化物 由于 具有 高强度 、高硬度 、耐磨损 等优 异性 能而被广泛应 用 工业 领 域 。T iN 和 N bN 便 是其 中两种重要 的材料 。国际上 己经有 不少人用 第 一 性原理对包括 T iN 在 内的过渡金属化合物 的 电子 结构和力学性 能计算并进行 了 理论 分 析 ,而对 于 N bN 性 能 的计 算 并不 多 。 通 过第 一性 原理 计算 ,我们研 究 了过渡 金属 化 合物 T iN 和 N bN 的 晶格 常数 、 弹性 常数 、体模 量 、剪切模 量 、泊松 比、态 密度等 ,结果表 明这 两种氮化物 都 是 稳定 的,计算 出的晶格常数与实验值 比较符合 。T iN 的弹性常数 C 44(187)大于 N bN 的弹性常数 C44(113), 促成 了 T iN 高的剪切模量 。同时较高的G /B 比值使得 T iN 相对 于 N bN 来 说具有 更 强 的共价键 ,有利 于增加 T iN 材料抵抗 形变 的能力 ,这 与 T iN 具有高剪切模量 (2 16G Pa)结果相一致 。种种计算 比较得 出T iN 与 N bN 都 具有较 高 的硬度 ,T iN 的硬度 则更 高 。最 后 ,我们还 计算 了 T iN 和 N bN 的能带 与态密度 图,证 实两种化合物 均呈金属性 ,费米 面 附近 出现 的赝 能 隙标志材料 具 有 高稳 定性 。分波态 密度 图则表 明 T iN 的金属性 由T i-3d 电子态贡献 ,N bN 的金 属 由N b-4d 电子态 贡献 ,二者 都 具有 良好 的导 电性 能 。 此 外 ,我们 还 运 用 了 D FT-G G A 和 平 板 模 型方 法 ,在 第 一 性 原理 计 算 的基 础 上研究 了低覆盖度下 C O 分子在 T iN (lll)表面不 同位置 的吸 附。主要 内容有 :吸 附能和 吸 附位 置 、C O 分子 吸 附前后 C O 分子键 长变 化 以及 吸 附

文档评论(0)

leirenzhanshi + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档