氧化铝复合磨粒对硬盘NiP／A1基板CMP的研究（原版论文）.pdfVIP

2013年 9月 四川大学学报 (自然科学版) Sep． 2013 第 5O卷 第 5期 JournalofSichuanUniversity (NaturalScienceEdition) VoI．5O No．5 doi：103969／j．issn．0490—6756．2013．05．030 氧化铝复合磨粒对硬盘 NiP／A1 基板 CMP的研究 麻鹏飞，张 萍，蒋春东，吴 疆 (四川大学材料科学与工程学院，成都 610064) 摘 要 ：在 A1O。表面改性的基础上，制备 了以氧化铝、水、双氧水、氢氧化钠溶液为主要成分 的抛光液 ，研究了计算机 NiP／Al硬盘盘基片的化学机械抛光 (chemicalmechanicalpolis— hing，简称 CMP)特性．通过螺旋测微仪测量 了NiP／Al硬盘盘基片表面在不同抛光压力、抛 光盘转速、时间、pH值下的材料去除率 ，利用原子力显微镜 AFM表征 了抛光后的硬盘盘基 片表面粗糙度及形貌，并分析研究了A1。O。抛光液的CMP机理．最终得到最佳抛光工艺参 数：抛光盘速率为30r／min、抛光压力2．1kPa、抛光时间为60min、抛光液pH值为9，此时表 面粗糙度 Ra为 4．67nm． 关键词 ：Al2O。抛光液 ；NiP／Al基板 ；化学机械抛光 中图分类号 ：TK514 文献标识码：A 文章编号 ：0490—6756(2013)05—1069—06 ResearchontheCMPofNiP／Albasicsubstratewith AI2O3compositeabrasive MA Peng—Fei，ZHANG Ping，JIANGChun—Dong。W Jiang CollegeofMaterialsScienceandEngineering，SichuanUniversity，Chengdu610O64，China) Abstract：OnthebasisofA12O3surfacemodification，thepolishingslurrywaspreparedwith aluminum oxide，hydrogenperoxide，waterandsodium hydroxideasthemaincomponents，andtheCMPproper— tiesofNiP／A1basicsubstratewerestudied．Undertheconditionsofdifferentpolishingpressures，pads speeds，timeandpH values，thematerialremovalratewasmeasuredbymicrometer．Thesurfacerough- nessandmorphologyofharddisksubstratepolishedwerecharacterizedbyAFM ，andtheCMPmecha— nism ofA1zO3polishingslurrywasanalyzed．Thebestpolishingprocessparametersobtainedareasfol— lows：Padsrateof30r／min，polishingpressureof2．1kPa，polishingtimeof60min，polishingslurry pH valueof9，andRaof4．67nm atthemoment． Keywords：A1203polishingslurry，NiP／Albasicsubsrate，CMP 的最佳方法之一[1]．目前 ，已广泛应用于集成 电 1 引 嗣 路和硬盘盘基片的抛光 ．CMP抛光液主要 由 CMP技术是化学氧化