硅基衬底中二次离子（簇）形成及其能量分布研究.pdf

硅基衬底中二次离子(簇)形成及能量分布的研究 ABSTRACT Inthisarticle．we theannealedSOI IonMass analyze sample、vimSecondary withitsfunctionsof Profileand CAMECA一6f Depth Energy Spectrometry to the andthe distributionofthe Distribution investigatesputteringprocess energy ion researchisfocusedonthe ionand cluster．Another relationship secondary among andtheinitial the ionbeam kinetic ofthe primary energy，theyield energy sputtered that article ions．Onthebaseof extractsthedeductionofthe research，the secondary withthe beam ionsandion distribution ion clusters’energy primary energy．The inthisarticleare to thetest of Ion researches hetpfutimprove techniqueSecondary Mass Spectrometry． IonMass clusterformation Keywords：SecondarySpectrometry、ion andemission、 ofthe ionsandion distribution clusters、total energy secondary sputteryield 摘 要 本文对退火SOI样品进行二次离子质谱深度分析和能量分析，揭示了硅和二 氧化硅中离子(簇)的形成发射过程以及能量分布机理，并且在研究入射束能量 与总粒子溅射产额、出射粒子初始动能关系的基础上，总结出了二次离子(簇) 能量分布随入射束能量改变的演变规律。本文的研究有助于改进二次离子质谱的 分析技术。 关键词：二次离子质谱、离子簇形成和发射、二次离子(簇)能量分布、总粒子 溅射产额 硅基衬底中二次离子(簇)形成及能量分布的研究 第一章 引言 二次离予质谱是一种用于分折固体材料表面