《5～22 GHz平坦高增益单片低噪声放大器》.pdfVIP

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2015-12-09 发布于河南
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《5～22 GHz平坦高增益单片低噪声放大器》.pdf

第26卷第2期固体电子学研究与进展 V01．26，No．2 2006年5月 OFSSE May，2006 RESEARCHPROGRESS 矿p_、ppp_‘叶冬射频与微波气 ’“—p、‘、毋．一一毋o 5～22 GHz平坦高增益单片低噪声放大器彭龙新李建平李拂晓杨乃彬 (南京电子器件研究所，南京210016) 2005—08—29收稿，2005一11一08收改稿 GaAs 摘要：使用o．25肛m PHEMT工艺技术，设计和制造了性能优良的5-22GHz两级并联反馈单片低噪声放大器。在工作频率5—22GHz内，测得增益G≥18dB，带内增益波动△G≤士o．35dB，噪声系数ⅣF≤3．2dB，输入输出驻波VSWR≤1．7，最小分贝压缩点输出功率P。ae≥10．5dBm，电流增益效率达2．77mA／dB。测试结果验证了设计的正确性。关键词：宽带；平坦高增益；低噪声；反馈放大器；电流增益效率；微波单片集成电路中图分类号：TN722．3文献标识码：A 文章编号：1000—3819(2006)02—175一04 GHz Monolithic 5～22 Flat—High—gain Integrated N0ise L0w Amplifier PENG I。I I。IFuxiaoYANGNaibin I。ongxinJianping EZe∞一D起站D鲫掂Ps 210016，C日Ⅳ) (N以可i咒g Jn盯．，Ⅳ口，彬729 LNAwith was andfab— Abstract：A5—22GHz MMIC two—stage goodperformancesdesigned ricated O．25 GaAsPHEMT beenmeasuredfrom 5．OGHz using pm processes．Having frequency to22GHz，theI。NAachieveda of18dBwitha flatnessof±O．35dB powergain good only，a maximumnoise and betterthan1．7andminimumout— of3．2 VSWRsof figure dB，inputoutput of10．5dBm，currentto of3．3 wellwith putP1dBpower efficiencymA／dB．Thedesignagrees gain themeasuredresultsofthisMMICLNA．