bivolt,4gt;纳米膜的制备、改性及可见光光电催化性能研究.pdf

人迮理I：人学博十学何论文 摘 要 近年束，半导体光催化技术得到了快速的发展。在该领域的研究中，Ti02因其光催 化能力强，无毒，且简便易得，成本低廉，一直受到人们的高度关注。但由于其禁带宽 度较宽，只能吸收波长较短的紫外光，太阳光的利用效率很低。因此，为了更好地利用 太阳光，开发可见光响应的催化剂是非常必要的。单斜晶型BiV04足一种较好的可见光 这种杂化结构使得BiVO。的价带比较分散，有利于光生空穴在价带上的迁移。这两点均 对其参与光电催化氧化反应有利。 见光光电催化降解环境污染物的研究中，并通过对其改性提高了其光电催化降解污染物 的能力。本研究的具体内容包括以下几部分： 了锻烧温度以及镀膜次数对BiV04纳米膜的形貌、晶型、晶粒大小以及光电性能的影响， 得出的最佳的制备条件为：锻烧温度为500 QC和镀膜次数为四次(膜厚为0．66／．tm)。通 nlll的单晶颗粒构成的，而这些单晶颗粒又聚集成为粒径为 BiV04纳米膜是由粒径约为10 eV。BiV04 纳米膜的晶型为单斜晶型。光电特性测试显示，在J,l-]J口偏压为1．2V，入射光波波长为400 见光下，BiV04纳米膜的光电催化降解苯酚的速率是其光催化降解苯酚的速率的27．1倍。 外加偏压使光生电子迁移至外电路，进而提高了电子与空穴的分离效率，是导致其光电 催化性能提高的主要原因。重复利用实验中，BiV04纳米膜显示出良好的光电催化稳定 性。 粒径约为10--20nm。在1．0 V偏压的条件下，担载Ag的BiV04膜电极的光电流密度 高的机理进行了探讨。 BiVO。纳水膜的制器、改性及可见光光电催化性能研究 晶粒尺寸明显变小，表面亲水性明显提高。在0．6V偏压的条件下，掺Si的BiV04膜的 膜光电催化降解苯酚的速率是aiv04膜的1．84倍。晶粒尺寸变小，氧缺陷的增加以及 催化剂表面的亲水性的增强是提高光电催化降解苯酚性能的原因。 关键词：BiV04 米膜；Ag担载；Si掺杂；光电催化；苯酚降解 人迮理I：人学I尊十。’}位论文 Fabricationandmodificationof nano-filmandtheir BiV04 undervisible photoelectrocatalytic performance light Abstract Inrecent advancementhasbeenachievedintheresearchof years，great hasbeendrawnmuch attentionduetoits chemical technique．Ti02 good stability， fabricationand non-toxicity，lowcost，easy goodphotoelectrochemical cannotutilizesolar of Ti02 the withvisible energy．Thus，theexploration light