半导体第十讲光刻技术资料.ppt

半导体材料与集成电路基础 第10讲 光刻技术 光学光刻概述 集成电路的设计从定义芯片的功能开始 如果芯片功能复杂，可以分为几个层次的次级功能 设计者要构筑一个芯片的高层次模型以进行功能检验，并得到其性能评估。然后设计者应用客户端设计所需的软件，把预先已设计好的电路块(单元)组装为芯片 设计完成后，需要再次按版图规则检查，以保证符合规则。 最后，从实际版图出发进行再次的模拟。若不符合技术规范，需要继续修改设计直至达到要求。 上列过程的一部分或全部可以自动执行。在CAD系统中，可输入要实现的功能的高层次描述和一个包含设计规则的文件。程序将产生芯片的版图以及其性能评估。 设计者要监督这个过程，并作必要的人工修正，以改善性能 大多数光刻分两步工序完成 设计图分成多个信息层。每一层是一张某一薄膜在制成的IC上的布局图。通常这些层被复制成为掩模，一旦掩模制成了，可用一束光线通过它在圆片上曝光而形成图形 光照在光敏的材料上，然后这种材料被显影，以再次构成原先的此层图形。掩模的生产工艺类似于圆片上的光刻。光学光刻和电子束光刻都可用于掩模制造 掩模可以与最后完成的芯片有同样的尺寸或是该尺寸的整数倍 制造中用的大多数母版是150mm的正方形，然而为适应不久将来对大面积微处理器芯片的需要，预期会增大到225mm。 掩模制作在不同类型的石英玻璃上。版的最重要的性能包括：曝光波长下的高透光度，小的热膨胀系数和平坦的精细抛光面(可减小光散射) 在玻璃的一面有形成图形的不透光层。大多数掩模的不透光层是铬层。掩模上形成图形后，图形可通过与数据库对比检查而得到确认。任何不希望有的铬可用激光烧化剥落 铬层的针孔可用额外的淀积来修理。这是一个关键的工序，因为掩模会用于在成千上万圆片上形成图形。版上的任何一缺陷，只要大到能够被复制，就会存在于用这块版的每一圆片上 微电子制造过程中，光刻是最复杂、昂贵和关键的工艺 现在光刻占了总制造成本的1／3，所占的百分比还正在上升 一个典型的硅工艺包括15～20块不同的掩模，对于某些BiCMOS工艺，可以多到28块 虽然传统的GaAs工艺只需要很少的掩模层，但是现在这个数目一样在增加 工艺性能往往按照生产非常细线条的能力来预测 存储器制造商应当要求对成千上万圆片上超过10亿个的晶体管的关键特征尺寸有严格的控制 对于一个器件研究者，圆片上有50%的特征尺寸落在可接受的范围内 圆片光学曝光简单系统的剖面图 光源用于发出透过掩模的光 图形投影在圆片表面上，圆片表面涂上一薄层称为光刻胶(photoresist)的光敏材料 曝光工具在圆片表面产生掩模图形，它的设计和工作是光学系统设计的主要问题。 一旦辐照的图形被光刻胶吸收和图形被显影时，化学过程就发生了。通过掩模上分离线条的光线形成照射圆片表面的辐照图形，它也称为掩模的实像。 应用可见光、紫外光(UV)、深紫外光(DUV)或极深紫外光(EUV)作曝光光源 最常用的光刻光源是高压弧光灯。是可得到的最亮的非相干光源 灯包括两个密封在石英外壳内的导电电极——一个针尖电极和一个圆形电极，其间距为5mm左右。大多数弧光灯包含汞蒸气，灯处于冷却状态时压力接近1个大气压 为了点燃弧光灯，在电极间加一个高压电脉冲，此脉冲电压要能电离气体。通常的冲击电压是几千伏。管内部分离化气体、电子和高能中性粒子的混合物称为等离子体 大多数弧光灯的供电电源也包括一个升压电源，典型的为一个充电到几百伏的电容器，它保证放电后瞬间等离子体的稳定性 在灯中离化的气体非常热，灯泡内的压力可达到40个大气压 典型的光刻弧光灯的电力消耗为500～1000W。发射光功率略小于它的一半 灯有两个发光源 电弧中的高温电子弧光灯等离子区中的典型温度是40 000K量级 相当于波长75nm的峰值发射，是非常深的紫外光 这个能量超过了石英玻璃外壳的禁带宽度，大多数发射光在离开灯外壳前将被吸收 高能发射会在灯装置中产生臭氧，灯的制造商有时会添加一些杂质到石英玻璃中，以增强吸收 灯的第二个光源是汞原子本身 与高能电子的碰撞，推动汞原子的电子进入能带的高能态。当它们回到低能态时，它们发射出光的波长相应于其能量跃迁 这些光发射线谱非常尖锐，所以可用于确定等离子体中的主要产生物 这些线按它们的能量命名。常常过滤掉除了一条单线外的全部线，以g线(436nm)和i线(365nm)最常用 为将弧光灯的使用扩展到更深的紫外区，可用氙作为填充气体。氙(Xe)在290nm有强线，在380，265和248nm有很弱的线 工作时，高能汞离子轰击负电极。它们通过称为溅射(spu~efing)的物理过程，打出少量的电极材料 一些溅射出的电极材料涂敷在石英玻璃壳的内壁。而且，灯内壁表面的高温会使石英玻璃慢慢失透，留下白雾状形貌 溅射与失透结合一起减弱了输出强度。附加的吸收能量使