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* * [练习] 写出图中所示各个门电路输出端的逻辑表达式。 TTL CMOS A 100? 100k? = 1 A 100? 100k? = 1 = 1 ≥1 A 100? 100k? ≥1 A 100? 100k? = 0 * * [练习] 写出图中所示各个门电路输出端的逻辑表达式。 TTL CMOS =1 A 100? 100k? =1 A 100? 100k? A 悬空 A 悬空 不允许 * * 例(T2.4.1)为什么说TTL与非门的输入端在以下4种接法下都属于逻辑0:(1)输入端接地;(2)输入端接低于 0.8V 的电源;(3)输入端接同类与非门的输出低电平 0.2 V;(4)输入端通过500Ω的电阻接地。 解: 因为逻辑0 表示低电平,而 ⑴ ⑵ ⑶的电压都属于TTL与非门的输入低电平UIL,所以这3种接法都属于逻辑0。 (4)因为 Ri = 500Ω<Roff ,所以uI 属于逻辑0 。 例(T2.4.1)为什么说TTL与非门的输入端在以下4种接法下都属于逻辑1: (1)输入端悬空;(2)输入端接高于 2 V 的电源;(3)输入端接同类与非门的输出高电平 3.6 V;(4)输入端通过10KΩ的电阻接地。 解: 因为逻辑1 表示高电平,而 ⑴ ⑵ ⑶的电压都属于TTL与非门的输入高电平UIH,所以这3种接法都属于逻辑1。 (4)因为 Ri = 10KΩ >Ron ,所以uI 属于逻辑1 。 * * 五、TTL与CMOS的区别 1.电平: TTL: 输出 L: 0.4V ; H:2.4V 输入 L: 0.8V ; H:2.0V 噪声容限是0.4V CMOS: 高电平电压接近于电源电压, 低电平电压接近于0V,噪声容限很大 因为TTL和COMS的高低电平的值不一样,所以互相连接时需要电平的转换:就是用两个电阻对电平分压 。 * * (2)CMOS是场效应管构成,是电压控制器件;TTL为双极晶体管构成,是电流控制器件; (3)CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强,TTL则相差小,抗干扰能力差; (4)TTL电路的速度快,传输延迟时间短,为5-10ns,但是功耗大,COMS电路的速度慢,传输延迟时间长,为25-50ns,但功耗低; (5)CMOS比TTL驱动能力强。 * * 作业: P84 2.4.4 P86 2.9.3 * * 图中看出,谐波次数越高,幅值分量越小,对原波形的贡献越小,所以在一定条件下可忽略高次谐波。 图中看出,谐波次数越高,幅值分量越小,对原波形的贡献越小,所以在一定条件下可忽略高次谐波。 * 备注 放大电路存在电抗元件,如电容、电感。因此输入信号的频率不同,电路的输出响应也不同。 * * 补充:TTL与非门的输入负载特性 VCC T1 L Rb1 Rc2 Rc4 Re2 T2 T4 T3 (5V) Ri uI 2 1 0 2 4 6 uI /V Ri /KΩ 输入负载特性 1.2 阈值电压UT (1)Ron — 开门电阻(2.5 k?) 保证TTL与非门导通,输出为标准低电平时,所允许的Ri的最小值。 即: ,输入为高电平 (2) Roff — 关门电阻( 0.8 k?) 即:当 Ri 为 0 .8 k? 以下电阻时 , 输入端相当于低电平。 保证TTL与非门关闭,输出为标准高电平时,所允许的Ri的最大值。 * * 练习:图(a)电路为TTL电路,写出逻辑代数式,列真值表,并对照图 (b)输入波形画出输出波形。 ≥1 Y =1 & A B C 20KΩ 图(a) A B C Y 图(b) * * 解: (1) (2) 列真值表 A B C Y 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 0 0 0 0 0 1 1 A B C Y (3) 画波形图 * * 二、 TTL或非门 2、若A、B中有一个为高电平: 1、若A、B均为低电平: T2A和T2B均将截止, T3截止。 T4和D饱和, 输出为高电平。 T2A或T2B将饱和, T3饱和,T4截止, 输出为低电平。 逻辑表达式 * * 3.2.5集电极开路门(OC门)和三态门 1、 问题的提出 标准TTL与非门进行与运算: A B E F C D G 1 A B E F C D G 能否“线与”? (Open
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