第02章晶体缺陷综述.ppt

(二)位错与点缺陷的交互作用 晶体内同时含由位错和点缺陷时(特别时溶入的异类原子)，它们会发生交互作用。 异类原子在刃位错处会聚集，如小原子到多出半原子面处，大原子到少半原子面处，而异类原子则溶在位错的间隙处。 空位会使刃位错发生攀移运动。 第三节 位错 五、位错的弹性特征 (三)位错间的交互作用 每条位错线周围存在应力场，对附近的其他位错有力的作用和影响，这个影响较复杂，下面仅对简单情况加以说明。 一对在同一滑移面上平行刃位错，当其方向相同时，表现为互相排斥，有条件时相互移动来增加其距离。当其方向相反时，表现为互相吸引，有条件时相互靠近，最后可能互相中和而消失。 第三节 位错 五、位错的弹性特征 (三)位错间的交互作用 一对平行的螺位错，按几何规律，其共有面可作为其滑移面。当其方向相同时，也表现为互相排斥，有条件时相互移动来增加其距离。当其方向相反时，也表现为互相吸引，有条件时相互靠近，最后可能互相中和而消失。 处在其他情况下的位错间的相互作用较为复杂，暂时还难简单的说清楚，上例仅提供一分析的方向。 第三节 位错 (四) 位错的分解与合成 第三节 位错 位错具有很高的能量，因此它是很不稳定的，除了上述交互作用外，还常发生自发反应，由一根位错分解成两根以上的位错，或者两根以上的位错合并为一根位错，这些统称为位错反应，位错反应的结果是降低体系的自由能。 位错反应的条件 所有自发的位错反应必须满足两个条件： （1）几何条件∑ =∑ ，即反应前后位错在三维方向的分矢量之和必须相等。 （2）能量条件∑ ＞∑ ，即位错反应后应变能必须变低，这是反应进行的驱动力。 五、位错的弹性特征 第四节 晶体中的界面 一、表面及表面能 1.晶体的表面：就是晶体的外表面，一般是指晶体与气体(气相或液相)的分界面。 2.晶体的表面能：同体积晶体的表面高出晶体内部的能量称为晶体的表面自由能或表面能。计量单位为J/m2。表面能就是表面张力，单位为N/m。晶体的表面能在有些意义和大家已知液体表面张力是一样的。 面缺陷：在三维空间的两个方向上的尺寸很大(晶粒数量级)，另外一个方向上的尺寸很小(原子尺寸大小)的晶体缺陷。 一、表面及表面能 第四节 晶体中的界面 3.表面能的来源：材料表面的原子和内部原子所处的环境不同，内部在均匀的力场中，能量较低，而表面的原子有一个方向没有原子结合，处在与内部相比较高的能量水平。另一种设想为一完整的晶体，按某晶面为界切开成两半，形成两个表面，切开时为破坏原有的结合键单位面积所吸收的能量。由于不同的晶面原子的排列方式不同，切开破坏的化学键的量也不同，所以用不同的晶面作表面对应的表面能也不相同，一般以原子的排列面密度愈高，对应的表面能较小。 单位面积表面能即单位面积表面吉布斯自由能： = ( E -T S)/ A 表面内能是表面原子近邻原子键数变化所引起，近邻原子键数减少，断键数增加，表面内能增加。以面心立方晶体（111）密排面为例，如每个原子的键能为，形成表面时一个原子失去的键数为3，则 ΔE 单位（111）面积内的原子数·3ε/2 ε A 单位（111）面的面积 a2 1摩尔面心立方固相气化，形成12Na个断键，因此有 表面能的计算 清华教材p417 = = 第四节 晶体中的界面 第四节 晶体中的界面 LS = 12 Na * ε/2 ε= LS / 6 Na ΔEA = (0.577 LS) / (a2*Na) 当温度较低时，可忽略表面墒，则上式得出的表面内能既为比表面能 。 第四节 晶体中的界面 4.表面能与晶体形状之间的关系：在晶体形成的过程中，为了使系统的自由能最低，尽量降低表面的总能量，即ΣσA最小。为此一方面尽量让σ最小的晶面为表面，当然也可能是表面能略高但能明显减小表面积的晶面为表面。例如fcc结构的晶体自由生长就为14面体。 5.粗糙表面与平滑表面：晶体的表面在宏观为一能量较低的平面，但表面原子的缺陷，局部表面原子的缺少或部分表面有多余原子，以表面存在的阵点数与实有原子数的比x来表示，这些缺陷的存在可提高表面的熵，是必然存在的。每种材料有特定的x值下表面能最低，其中x=0.5的表面稳定的称为粗糙表面，大多数的金属材料是属于粗糙表面；x值仅在0或1附近稳定的称为平滑表面，大多是非金属材料。 一、表面及表面能 二、晶界 第四节 晶体中的界面 2.晶界的结构：根据晶界两侧晶粒的位向差不同，晶界的结构大致可分为三类。 1.晶界：晶界就是空